Наноиндустрия - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1993-8578
ISSN 2687-0282 (online)

Книги по нанотехнологиям

Статьи

Наноиндустрия #7-8/2024

Новости // все новости

01.04.2025

События // все события

c 09.04.2025 до 11.04.2025

Тег "hemt"

Электроника НТБ #8/2023
А. Строгонов, М. Харченко, А. Ханин
ОСОБЕННОСТИ ИЗМЕРЕНИЯ ТЕПЛОВОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ «КРИСТАЛЛ – КОРПУС» MIS-HEMT-ТРАНЗИСТОРОВ

DOI: 10.22184/1992-4178.2023.229.8.38.41 В статье описаны метод и оснастка для измерения теплового сопротивления «кристалл – корпус» нормально-открытых MIS-HEMT-транзисторов, рассматриваются особенности реализации этого метода.

Электроника НТБ #10/2020
С.Тарасов, Д.Колесников, Г.Глушков, М.Полунин, С.Рябыкин, А.Ткачев
ВОЗМОЖНА ЛИ ЗАМЕНА ИМПОРТНЫХ СВЧ GAN-ТРАНЗИСТОРОВ ОТ ИЗВЕСТНЫХ МИРОВЫХ ПРОИЗВОДИТЕЛЕЙ НА ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ АНАЛОГИ?

DOI: 10.22184/1992-4178.2020.201.10.100.104 В статье рассмотрены результаты измерения параметров GaN HEMT-транзистора производства АО «ПКК Миландр» в составе тестового усилителя мощности при работе в непрерывном режиме в диапазоне частот 3,4–3,8 ГГц, проведено сравнение полученных данных с характеристиками GaN-транзистора CGHV40030F от компании Wolfspeed. Представлены перспективные разработки АО «ПКК Миландр» в области СВЧ GaN HEMT-транзисторов для широкого диапазона частот и силовых транзисторов.

Наноиндустрия #9/2018
Тимошенков Валерий Петрович, Хлыбов Александр Иванович, Родионов Денис Владимирович
Экстракция параметров модели HEMT-транзистора на основе исследований рефлектометрическим методом

В работе продемонстрирована возможность временного метода для исследования параметров НЕМТ транзистора. Показано применение рефлектометрического метода к задаче экстракции параметров малосигнальной модели HEMT транзистора. Измерены параметры HEMT транзистора в динамическом режиме (входная и проходная емкости, сопротивление канала в крутой и пологой областях, крутизна транзистора). УДК 621.38:621.3.049.774:621.382.049.77 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.481

Наноиндустрия #9/2018
Аболдуев Игорь Михайлович, Краснов Вячеслив Владимирович, Миннебаев Станислав Вадимович, Филатов Анатолий Леонидович
Проектирование GaN HEMT для приемных устройств

DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.459.463