sitemap
Наш сайт использует cookies. Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей Политикой Конфиденциальности
Согласен
Поиск:

Вход
Архив журнала
Журналы
Медиаданные
Редакционная политика
Реклама
Авторам
Контакты
TS_pub
technospheramag
technospheramag
ТЕХНОСФЕРА_РИЦ
© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

Яндекс.Метрика
R&W
 
 
Вход:

Ваш e-mail:
Пароль:
 
Регистрация
Забыли пароль?
Книги по нанотехнологиям
Под ред. Бхатнагара А.
Другие серии книг:
Мир материалов и технологий
Библиотека Института стратегий развития
Мир квантовых технологий
Мир математики
Мир физики и техники
Мир биологии и медицины
Мир химии
Мир наук о Земле
Мир электроники
Мир программирования
Мир связи
Мир строительства
Мир цифровой обработки
Мир экономики
Мир дизайна
Мир увлечений
Мир робототехники и мехатроники
Для кофейников
Мир радиоэлектроники
Библиотечка «КВАНТ»
Умный дом
Мировые бренды
Вне серий
Библиотека климатехника
Мир транспорта
Мир фотоники
Мир станкостроения
Мир метрологии
Мир энергетики
Книги, изданные при поддержке РФФИ
Тег "ghz"
Наноиндустрия #9/2018
Тимошенков Валерий Петрович, Хлыбов Александр Иванович, Родионов Денис Владимирович
Экстракция параметров модели HEMT-транзистора на основе исследований рефлектометрическим методом
В работе продемонстрирована возможность временного метода для исследования параметров НЕМТ транзистора. Показано применение рефлектометрического метода к задаче экстракции параметров малосигнальной модели HEMT транзистора. Измерены параметры HEMT транзистора в динамическом режиме (входная и проходная емкости, сопротивление канала в крутой и пологой областях, крутизна транзистора). УДК 621.38:621.3.049.774:621.382.049.77 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.481
Разработка: студия Green Art