Наноиндустрия #9/2018
Тимошенков Валерий Петрович, Ефимов Андрей Геннадиевич
Проектирование SiGe СВЧ-устройства управления для приемно-передающего модуля
Представлена структура устройства управления фазой и амплитудой сигнала для СВЧ приемно-передающих модулей. Рассмотрены методы формирования фазовой задержки. Проведена оригинальная разработка дифференциальной схемы управления фазовой задержки и амплитуды на основе биполярных транзисторов с кремний-германиевой базой. Схемные решения для осуществления фазовой задержки основаны на использовании фильтров высокой и низкой частоты. Усиление блока управления задержкой составляет 1,5 дБ. Глубина управления амплитудой 24 дБ. Выходная линейная мощность устройства равна 5 дБм. Полный потребляемый ток составляет 158 мА при питании 5 В. УДК 621.38:621.3.049.774:621.382.049.77 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.486.487