Наноиндустрия - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1993-8578
ISSN 2687-0282 (online)

Книги по нанотехнологиям

Статьи

Наноиндустрия #7-8/2024

Новости // все новости

14.04.2025

События // все события

c 21.10.2025 до 23.10.2025

Тег "микропроцессоры"

Электроника НТБ #2/2025
Д. Садеков
BMTI – КИТАЙСКИЙ РАЗРАБОТЧИК ЭЛЕКТРОННЫХ КОМПОНЕНТОВ

DOI: 10.22184/1992-4178.2025.243.2.122.125 BMTI – крупнейшая в Китае научно-исследовательская организация в области микроэлектронных компонентов космического и специального назначения. Среди разработок института широкий спектр высоконадежных решений для применения в таких отраслях, как аэрокосмическая промышленность, авиация, ядерная промышленность и др. В статье представлен обзор основных линеек продукции BMTI.

Наноиндустрия #9/2018
Волков Святослав Игоревич, Бобков Сергей Геннадьевич, Краснюк Андрей Анатольевич
Конструктивно-технологические особенности элементов тестовых структур для высокотемпературной микроэлектроники

КНИ КМОП технологии имеют безусловное преимущество перед перед объемными МДП и технологиями на основе широкозонных полупроводников, элементов памяти типа MRAM и FRAM прежде всего при разработке сверхбольших интегральных схем памяти, микропроцессоров и систем на кристалле и в корпусе для максимальных рабочих температур 250–300 °C. В работе были исследованы ВАХ транзисторов, переключательные и временные характеристики триггерных элементов памяти и кольцевых генераторов. Также проведена серия экспериментов по изучению влияния на температурные свойства МДП структур фактора конструкции транзисторов. Показано, что изменение температуры на 250 °C вызывает не только увеличение токов утечки на 3–4 порядка, но и формирование областей ударной ионизации, определяющих кинк-эффект на выходной ВАХ. Экспериментально определено уменьшение пороговых напряжений и крутизны для транзисторов а- и о-типа. Экспериментальные исследования кольцевых генераторов показали, что при изменении температуры от 25 °C до 200 °C частота генерации снижается в полтора раза, статический ток потребления возрастает на три порядка величины (до 0,5 мкА), а динамический ток потребления возрастает на 40 %. Исследование тестовых структур триггерных элементов памяти на примере в зависимости от температуры показало безусловное смещение влево с уменьшением критических точек для семейств переключательных характеристик при увеличении температуры. В целом помехоустойчивость ячеек памяти в исследуемом диапазоне температур меняется незначительно — до 10 %, что позволяет сделать вывод о возможности построения встроенных статических ЗУ в высокотемпературных микропроцессорах без принципиальных изменений в схемотехнике и конструкции функциональных элементов памяти. В целом, делается вывод о принципиальной возможности создания сложно-функциональных и микропроцессорных систем на основе разработанных элементов схем для рабочих температур вплоть до 300 °C. УДК 621.382+621.396.6 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.220.228

Электроника НТБ #4/2014
М.Шейкин
Российскому рынку – российскую продукцию. Новые технологии ОАО "ЗПП"

Лидер на российском рынке металлокерамических корпусов – Завод полупроводниковых приборов, ОАО "ЗПП" (Йошкар-Ола) – планирует существенно снизить долю импортных корпусов на рынке ответственной микроэлектроники, заменив их отечественными аналогами. На семинаре, состоявшемся 16 апреля 2014 года на выставке "Экспоэлектроника" в Москве, было рассказано о новых технологиях и планах развития ОАО "ЗПП"

Электроника НТБ #7/2012
Дж.Янг, Б.Макхесни
Оптимизация процессорных ядер Проверка в реальных условиях

Производительность процессорного ядра в системе на кристалле (SoC, System on Chip) зачастую становится важнейшей характеристикой изделия, особенно, если речь идет о смартфонах или планшетах. Чтобы оставаться конкурентоспособной, система на кристалле должна быть не только высокопроизводительной, но и удовлетворять требованиям к энергопотреблению и занимаемой площади. При реализации процессорных ядер необходимо иметь в виду, что характеристики, заявленные производителем IP-ядра, могут быть недостижимы на практике.

Электроника НТБ #8/2011
А.Беляев, Ф.Путря, Т.Солохина, В.Юдинцев
Многоядерные процессоры для устройств связи. Перспективы и проблемы

Стремительный рост популярности мобильных средств обмена информацией привел к появлению новых классов процессоров, ориентированных на работу в сети. Распространение мультимедийного контента приводит к повышению объема сетевого трафика, а это, в свою очередь, накладывает определенные требования к быстродействию сетевых процессоров. Этим требованиям соответствуют многоядерные гетерогенные системы, которые обеспечивают эффективную обработку сетевого трафика, и, при необходимости, выполняют другие задачи.