Наноиндустрия - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2024
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1993-8578
ISSN 2687-0282 (online)

Книги по нанотехнологиям

Тег "«нижний» затвор"

Наноиндустрия #9/2018
Шелепин Николай Алексеевич
Особенности элементной базы СБИС на основе технологии КМОП КНИ с полным обеднением

Рассмотрено развитие конструкций компонентов СБИС на технологических уровнях ниже 28 нм. Отмечено, что уровень 28 нм был последним, в котором были реализованы планарные транзисторы. Далее образовалось два направления трехмерных транзисторов: FinFET и FD SOI. Показаны их основные различия и особенности. Представлены результаты моделирования характеристик КНИ транзисторов с полным обеднением. УДК 621.382 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.46.48