Наноиндустрия #5/2018
Н.Израилев, А.Казачков, И.Род, А.Исаченко, Д.Шамирян
Межпроцессный контроль критических размеров МЭМС-элементов в производстве
В статье приведены результаты разработки программного обеспечения (ПО) для автоматического анализа оптических изображений. С использованием алгоритма выделения границ Дерише ПО рассчитывает геометрические параметры микроструктур на изображениях, полученных при помощи автоматизированной оптической системы в рамках межпроцессного контроля критических размеров (КР) МЭМС-продукции. Подобный контроль КР является одним из инструментов системы управления качества в производстве МЭМС. Разработанная методика позволяет с высокой точностью определять критические размеры чипов, расположенных на кремниевой или стеклянной пластине. Полная оптическая инспекция одной пластины диаметром 100 мм вместе с обработкой изображений занимает менее 10 мин. Хотя разработанное ПО предназначено для контроля параметров пластин определенных типов и размеров, использованные алгоритмы допускают значительное расширение его функциональности в будущем. УДК 621.382; ВАК 05.27.01; DOI: 10.22184/1993-8578.2018.84.5.328.334