Наноиндустрия #1/2025
Д.В.Васильев, А.Н.Сауров, В.В.Амеличев
ВЫСОКОЧУВСТВИТЕЛЬНЫЙ ПРЕОБРАЗОВАТЕЛЬ МАГНИТНОГО ПОЛЯ НА ОСНОВЕ СПИН-ТУННЕЛЬНЫХ МАГНИТОРЕЗИСТИВНЫХ НАНОСТРУКТУР С СИНТЕТИЧЕСКИМ АНТИФЕРРОМАГНЕТИКОМ
DOI: https://doi.org/10.22184/1993-8578.2025.18.1.60.69 Представлены результаты исследования макетов преобразователей магнитного поля (ПМП) на основе спин-туннельных магниторезистивных наноструктур (СТМР) с синтетическим антиферромагнетиком (САФ). Абсолютная чувствительность к магнитному полю у исследованных макетов ПМП-САФ составила 217 мВ/Э в диапазоне магнитного поля ±5 Э (±0,5 мТл) при напряжении питания 5 В.
Наноиндустрия #3-4/2020
В.В.Амеличев, Д.В.Костюк, Д.А.Жуков, А.Б.Шевченко, С.И.Касаткин, О.П.Поляков, В.С.Шевцов, П.А.Поляков
Расчет передаточной характеристики анизотропного магниторезистивного преобразователя магнитного поля
DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.3-4.230.238 Представлена разработанная теоретическая модель одномерной неоднородности (МОН) и описаны основные факторы, влияющие на распределение вектора намагниченности тонкого магниторезистивного элемента анизотропного магниторезистивного преобразователя (АМРП). Получены результаты расчета вольт-эрстедных характеристик АМРП с помощью МОН, которые согласуются с экспериментальными данными.