sitemap
Наш сайт использует cookies. Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей Политикой Конфиденциальности
Согласен
Поиск:

Вход
Архив журнала
Журналы
Медиаданные
Редакционная политика
Реклама
Авторам
Контакты
TS_pub
technospheramag
technospheramag
ТЕХНОСФЕРА_РИЦ
© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

Яндекс.Метрика
R&W
 
 
Вход:

Ваш e-mail:
Пароль:
 
Регистрация
Забыли пароль?
Книги по нанотехнологиям
Под ред. М.Я. Мельникова, Л.И. Трахтенберга
Другие серии книг:
Мир материалов и технологий
Библиотека Института стратегий развития
Мир квантовых технологий
Мир математики
Мир физики и техники
Мир биологии и медицины
Мир химии
Мир наук о Земле
Мир электроники
Мир программирования
Мир связи
Мир строительства
Мир цифровой обработки
Мир экономики
Мир дизайна
Мир увлечений
Мир робототехники и мехатроники
Для кофейников
Мир радиоэлектроники
Библиотечка «КВАНТ»
Умный дом
Мировые бренды
Вне серий
Библиотека климатехника
Мир транспорта
Мир фотоники
Мир станкостроения
Мир метрологии
Мир энергетики
Книги, изданные при поддержке РФФИ
Тег "теория микромагнетизма"
Наноиндустрия #2/2023
Д.А.Жуков, П.А.Поляков, В.В.Амеличев, С.И.Касаткин, О.П.Поляков, Д.В.Костюк
ТЕОРЕТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ ПРОЦЕССА ПЕРЕМАГНИЧИВАНИЯ МАГНИТОРЕЗИСТИВНОЙ НАНОСТРУКТУРЫ МАГНИТНОЙ СТРЕЙНТРОНИКИ
DOI: https://doi.org/10.22184/1993-8578.2023.16.2.96.102 Представлены результаты исследования экспериментальных образцов и разработанной теоретической модели физического процесса перемагничивания многослойной магниторезистивной наноструктуры с магнитострикционным эффектом. Описаны основные факторы, влияющие на процессы магнитной стрейнтроники. Полученные результаты теоретического расчета магнитосопротивления при механических деформациях согласуются с экспериментальными данными.
Наноиндустрия #3-4/2020
В.В.Амеличев, Д.В.Костюк, Д.А.Жуков, А.Б.Шевченко, С.И.Касаткин, О.П.Поляков, В.С.Шевцов, П.А.Поляков
Расчет передаточной характеристики анизотропного магниторезистивного преобразователя магнитного поля
DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.3-4.230.238 Представлена разработанная теоретическая модель одномерной неоднородности (МОН) и описаны основные факторы, влияющие на распределение вектора намагниченности тонкого магниторезистивного элемента анизотропного магниторезистивного преобразователя (АМРП). Получены результаты расчета вольт-эрстедных характеристик АМРП с помощью МОН, которые согласуются с экспериментальными данными.
Разработка: студия Green Art