Наноиндустрия - научно-технический журнал - Материалы тега - многослойные наноструктуры со спин-туннельным магниторезистивным

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2024
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1993-8578
ISSN 2687-0282 (online)

Книги по нанотехнологиям

Тег "многослойные наноструктуры со спин-туннельным магниторезистивным"

Наноиндустрия #6/2020
В.В.Амеличев, А.А.Резнев, Д.В.Васильев
Развитие технологии наноструктур со спин-туннельным магниторезистивным эффектом

DOI: 10.22184/1993-8578.2020.13.6.332.337 Представлены результаты экспериментальных исследований процесса формирования многослойных наноструктур со спин-туннельным магниторезистивным (СТМР) эффектом. При формировании СТМР-наноструктур по интегральной технологии достигнут эффект на уровне 157,5%.