Электроника НТБ #6/2019
Д. Суханов, В. Команов
Гетерогенная интеграция с помощью групповой сварки кристалл-пластина – эффективный подход к 3D-интеграции микросхем
Рассмотрен процесс групповой сварки кристалл-пластина. Отмечено, что данный процесс обеспечивает высокую производительность при сохранении сложности сварочного оборудования для пластин на приемлемом уровне и является универсально подходящим для известных и перспективных задач гетерогенной интеграции. DOI: 10.22184/1992-4178.2019.187.6.162.167
Наноиндустрия #4/2012
А.Чабанов
Универсальный участок резки полупроводниковых подложек и пластин
Участок резки полупроводниковых подложек и пластин в микросборочном процессе достаточно прост. Он включает системы дисковой резки, монтажа пластин на пленочный носитель, их отмывки. Чтобы сделать такой участок универсальным, важно знать опции. Это требует прояснения ряда вопросов.