Наноиндустрия - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1993-8578
ISSN 2687-0282 (online)

Книги по нанотехнологиям

Статьи

Наноиндустрия #7-8/2024

Новости // все новости

01.04.2025

События // все события

c 09.04.2025 до 11.04.2025

Тег "spice"

Электроника НТБ #1/2023
А. Строгонов
АНАЛИЗ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ СХЕМ ПО ПОСТОЯННОМУ ТОКУ МЕТОДОМ НЬЮТОНА – РАФСОНА

DOI: 10.22184/1992-4178.2023.222.1.110.120 В статье на примере расчета электрических схем по постоянному току методом Ньютона – Рафсона показана возможность применения известных алгоритмов для анализа электрических схем, как альтернатива SPICE-моделированию, выполнена оценка их точности в сравнении с современными средствами проектирования.

Электроника НТБ #10/2018
А. Воронин
Моделирование кремниевых детекторов при разработке считывающей электроники. Часть 2

В статье представлена комплексная трехмерная модель модуля кремниевых детекторов, разработанная с учетом конструктивно-технологических особенностей этих устройств. Рассмотрена методика моделирования модуля кремниевых детекторов и проанализированы результаты моделирования канала считывающей электроники в симуляторе SPICE (Cadence Spectre) с использованием данной модели. УДК 539.1.074 | ВАК 05.27.00 DOI: 10.22184/1992-4178.2018.181.10.120.127

Электроника НТБ #9/2018
А. Воронин
Моделирование кремниевых детекторов при разработке считывающей электроники. Часть 1

В статье рассматриваются основные типы кремниевых детекторов для регистрации ионизирующих излучений, эквивалентные электрические схемы, выражения для оценки элементов схем. На основе анализа теоретических и экспериментальных данных предложена обобщенная трехмерная модель кремниевого детектора для разработки считывающей электроники. УДК 539.1.074 | ВАК 05.27.00 DOI: 10.22184/1992-4178.2018.180.9.114.124

Наноиндустрия #9/2018
Тимошенков Валерий Петрович, Хлыбов Александр Иванович, Родионов Денис Владимирович
Экстракция параметров модели HEMT-транзистора на основе исследований рефлектометрическим методом

В работе продемонстрирована возможность временного метода для исследования параметров НЕМТ транзистора. Показано применение рефлектометрического метода к задаче экстракции параметров малосигнальной модели HEMT транзистора. Измерены параметры HEMT транзистора в динамическом режиме (входная и проходная емкости, сопротивление канала в крутой и пологой областях, крутизна транзистора). УДК 621.38:621.3.049.774:621.382.049.77 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.481

Наноиндустрия #9/2018
Яшин Георгий Алексеевич, Глушко Андрей Александрович, Чистяков Михаил Геннадьевич, Макарчук Владимир Васильевич, Новоселов Антон Сергеевич, Амирханов Алексей Владимирович, Зинченко Людмила Анатольевна
Разработка и исследование SPICE-модели 0,35 мкм КНИ МОП-транзистора с геометрией затвора F-типа с применением системы приборно-технологического моделирования TCAD

С применением системы приборно-технологического моделирования TCAD разработана и исследована SPICE-модель МОП-транзистора с геометрией затвора F-типа, производимого по технологии КНИ с минимальной проектной нормой 0,35 мкм. На основе полученных в результате приборно-технологического моделирования данных объяснены физические эффекты, проявившиеся при его функционировании, и разработана концепция создания его SPICE-модели. УДК 004.942 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.430.434

Электроника НТБ #6/2012
А.Прикота
Схемотехническое моделирование в SimOne. Высокая скорость, высокая точность

Моделирование электронных схем – неотъемлемая часть процесса разработки радиоэлектронной аппаратуры. Широко применяемые для расчета электронных схем SPICE-алгоритмы точны, но скорость их работы мала для схем большой размерности. Программа компании "Эремекс" SimOne позволяет моделировать электронные схемы с использованием как классических SPICE-алгоритмов, так и оригинальных программных технологий и современных численных методов, существенно повышающих скорость вычислений при сохранении высокой точности моделирования.