Наноиндустрия - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2024
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1993-8578
ISSN 2687-0282 (online)

Книги по нанотехнологиям

Тег "свч-генератор"

Фотоника #3/2021
А. Б. Устинов, И. Ю. Таценко, А. А. Никитин, А. В. Кондрашов, А. В. Шамрай, А. В. Иванов
Принципы построения оптоэлектронных СВЧ генераторов

DOI: 10.22184/1993-7296.FRos.2021.15.3.228.237 Статья знакомит читателей с принципами создания оптоэлектронных СВЧ-генераторов. Не претендуя на полноту охвата, авторы анализируют основные типы генераторов, классифицируя их по принципу действия. Кратко рассмотрены физические процессы, лежащие в основе работы различных типов генераторов. Приведено сравнение характеристик генераторов.

Наноиндустрия #6/2017
И.Обухов, Г.Горох, А.Лозовенко, Е.Смирнова
Матрицы нанопроводов из антимонида индия и их применения для генерации СВЧ-излучения

Описаны методы изготовления матриц нанопроводов из антимонида индия в регулярных порах анодного оксида алюминия с различными металлическими контактами. Показано, что на основе этих матриц могут быть созданы генераторы электромагнитного излучения терагерцового диапазона частот. УДК 621.315.592 ВАК 05.27.01 DOI: 10.22184/1993-8578.2017.77.6.96.108

Электроника НТБ #8/2015
М.Ефремова, И.Иванов, Н.Скрипкин
Волноводные и квазиоптические способы суммирования мощности генераторов трехмиллиметрового диапазона длин волн

Рассматриваются три способа суммирования мощностей синхронизированных магнетронных генераторов 3-мм диапазона: в электродинамической системе волноводных тройников, в квазиоптическом мосте с выводом на волноводную нагрузку и в квазиоптическом тройнике с выводом энергии в свободное пространство.

Печатный монтаж #1/2013
В.Сокол, А.Турцевич, А.Белоус
Перспективы использования алюминиевых оснований в СВЧ-устройствах

По решению Международного комитета по радиочастотам сегодня разрешено использование частот до 1000 ГГц. При освоении частот этого диапазона возникли серьезные проблемы при изготовлении оснований из ситалла, поликора, кварца и др. Резко возрастают требования к точности воспроизведения как геометрических размеров этих оснований, так и их электрофизических параметров – диэлектрических потерь и проницаемости. В такой ситуации представляется перспективным использование алюминиевых оснований с диэлектрическим слоем из оксида алюминия.