Наноиндустрия - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1993-8578
ISSN 2687-0282 (online)

Книги по нанотехнологиям

Статьи

Наноиндустрия #7-8/2024

Новости // все новости

01.04.2025

События // все события

c 09.04.2025 до 11.04.2025

Тег "gan hemt"

Наноиндустрия #9/2018
Аболдуев Игорь Михайлович, Валамин Евгений Александрович, Дорофеев Алексей Анатольевич, Зубков А. М., Миннебаев Станислав Вадимович, Царёв Александр Владимирович, Кулиев М. В.
Генераторы, управляемые напряжением, на GaN тразисторах

DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.500.504

Первая миля #5/2013
М.Лаврентьев
Сверхмощные GaN-усилители в приложениях Direct To Home

В статье описывается эволюция радиочастотного оборудования головных станций DTH-вещания, рассматриваются различные решения и их основные недостатки. В качестве современного подхода предлагается применение твердотельных усилителей технологии GaN и систем фазового сложения, что позволяет значительно сократить капитальные и операционные расходы и повысить рентабельность бизнеса.

Первая миля #3/2013
М.Лаврентьев, Д.Гелерман
Новое поколение твердотельных усилителей мощности GаN HEMT в системах спутниковой связи и вещания

Новое поколение твердотельных усилителей мощности для систем спутниковой связи и вещания появилось на рынке благодаря успешному развитию технологии GaN HEMT. Ряд уникальных технических параметров позволяет GaN-транзисторам уверенно вытеснять такие технологии, как ЛБВ и GaAs-транзисторы. В статье рассматриваются вопросы применения нового поколения твердотельных усилителей мощности и перспективы дальнейшего развития этого направления индустрии.