Наноиндустрия - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2024
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1993-8578
ISSN 2687-0282 (online)

Книги по нанотехнологиям

Тег "снк"

Электроника НТБ #1/2020
К. Розе, Д. Радченко
Инструмент физической верификации нового поколения IC Va lidator NXT

Рассматриваются новые возможности инструмента физической верификации проектов ИС и СнК IC V alidator NXT компании Synopsys для повышения эффективности данного процесса и ускорения передачи проекта на изготовление на фабрику. DOI: 10.22184/1992-4178.2020.192.1.108.114

Электроника НТБ #1/2019
B. Осипов
Применение СнК 1879ВЯ1Я в качестве многоканального амплитудного анализатора цифрового спектрометрического тракта

Предложен метод построения амплитудного анализатора в канале спектрометрического АЦП (САЦП) на базе конвейерного АЦП СнК 1879ВЯ1Я. Получены характеристики как исходного АЦП, так и амплитудного анализатора. Произведена оценка профиля канала и количества каналов программно реализованного САЦП на 1879ВЯ1Я. УДК 621.38 | ВАК 05.27.01 DOI: 10.22184/1992-4178.2019.182.1.82.87

Наноиндустрия #9/2018
Суворова Елена Александровна, Розанов Валентин Владимирович, Шейнин Юрий Евгеньевич
Динамически реконфигурируемые системы и сети на кристалле в ASIC на 2D-3D технологиях

Реконфигурирование СнК может быть использовано для адаптации характеристик системы в соответствии с текущим набором решаемых задач, и расширения области применения. В данном докладе мы рассмотрим возможности по динамическому реконфигурированию систем и сетей на кристалле (SoC и NoC), реализуемых по технологии ASIC, в том числе по технологиям 2,5D и 3D. УДК 004.2 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.197

Электроника НТБ #1/2014
В.Немудров, К.Борисов, Ю.Завалин, И.Корнеев, И.Малышев, В.Шиллер
Системы на кристалле и системы в корпусе. Новые возможности для военной техники

Что можно сделать, чтобы поддержать современное производство сложных дорогих изделий электроники – систем на кристалле и систем в корпусе – и избежать опасного и недопустимого отставания отечественных радиоэлектронных вооружений от зарубежных через 5–10 лет.