Наноиндустрия - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2024
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1993-8578
ISSN 2687-0282 (online)

Книги по нанотехнологиям

Тег "монолитная интегральная схема"

Наноиндустрия #9/2018
Коколов Андрей Александрович, Добуш Игорь Мирославович, Шеерман Федор Иванович, Бабак Леонид Иванович, Жабин Дмитрий Александрович, Светличный Юрий Алексеевич
Сложно-функциональные блоки широкополосных усилителей радиочастоты для однокристальных приемников L- и S-диапазонов на основе технологии SiGe

Представлены результаты проектирования и измерений сложно-функциональных блоков (СФБ) широкополосных усилителей радиочастоты на основе 0,25 мкм SiGe БиКМОП технологии. Усилитель с несимметричными входом и выходом имеет полосу пропускания 1–5 ГГц и выходную мощность 13,2 дБм, дифференциальный усилитель — соответственно 1,5–5 ГГц и 17 дБм. СФБ предназначены для использования в однокристальных приемниках, работающих в различных частотных поддиапазонах L- и S-диапазонов. УДК 621.382, 621.396.61 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.435.437

Наноиндустрия #3/2015
Ю.Федоров, П.Мальцев, О.Матвеенко, Д.Гнатюк, Д.Крапухин, Б.Путинцев, А.Павлов, А.Зуев
МИС усилителей со встроенными антеннами СВЧ-диапазона на наногетероструктурах

В ИСВЧПЭ РАН разработаны конструкции монолитных интегральных схем (МИС) со встроенными антеннами для приемных и передающих трактов с усилителями мощности и малошумящими усилителями соответственно. МИС усилителей со встроенными антеннами изготовлены на гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs для диапазонов частот 5 и 10–12 ГГц и AlGaN/GaN для диапазона 58–65 ГГц. Измерены диаграммы направленности антенн. DOI:10.22184/1993-8578.2015.57.3.44.51

Наноиндустрия #3/2014
П.Мальцев, Ю.Федоров, Р.Галиев, С.Михайлович, Д.Гнатюк
Нитридные приборы миллиметрового диапазона

Анализ современного состояния и основных направлений развития технологии создания миллиметровых СВЧ-приборов на широкозонных гетероструктурах (Al,Ga,In)N/GaN показывает, что достигнутый в ИСВЧПЭ РАН технологический уровень находится в хорошем соответствии с общемировыми тенденциями и достижениями. Это создает предпосылки для создания и освоения российского промышленного производства комплектов монолитных интегральных схем для приемопередающих систем Ка-, V- и W-диапазонов частот, превосходящих по своим параметрам СВЧ-приборы на арсенидных гетероструктурах.