sitemap
Наш сайт использует cookies. Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей Политикой Конфиденциальности
Согласен
Поиск:

Вход
Архив журнала
Журналы
Медиаданные
Редакционная политика
Реклама
Авторам
Контакты
TS_pub
technospheramag
technospheramag
ТЕХНОСФЕРА_РИЦ
© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

Яндекс.Метрика
R&W
 
 
Вход:

Ваш e-mail:
Пароль:
 
Регистрация
Забыли пароль?
Книги по нанотехнологиям
Мартинес-Дуарт Дж. М., Мартин-Палма Р.Дж., Агулло-Руеда Ф.
Другие серии книг:
Мир материалов и технологий
Библиотека Института стратегий развития
Мир квантовых технологий
Мир математики
Мир физики и техники
Мир биологии и медицины
Мир химии
Мир наук о Земле
Мир электроники
Мир программирования
Мир связи
Мир строительства
Мир цифровой обработки
Мир экономики
Мир дизайна
Мир увлечений
Мир робототехники и мехатроники
Для кофейников
Мир радиоэлектроники
Библиотечка «КВАНТ»
Умный дом
Мировые бренды
Вне серий
Библиотека климатехника
Мир транспорта
Мир фотоники
Мир станкостроения
Мир метрологии
Мир энергетики
Книги, изданные при поддержке РФФИ
Тег "microwave device"
Электроника НТБ #7/2022
С. Сковородников, Д. Семенов
ОСОБЕННОСТИ РЕАЛИЗАЦИИ ТЕХНОЛОГИИ FLIP-CHIP ПРИ ПРОИЗВОДСТВЕ CВЧ-ПРИБОРОВ НА ПРИМЕРЕ
DOI: 10.22184/1992-4178.2022.218.7.130.132 Пассивные СВЧ-компоненты, такие как фильтры, делители, сумматоры, циркуляторы, должны отвечать специфическим требованиям, которые следует учитывать при реализации технологии flip-chip. В статье на примере ферритового циркулятора с гибридными контактами типа flip-chip показаны особенности применения этой технологии в серийном производстве СВЧ-приборов.
Электроника НТБ #5/2018
И. Ли
Наноструктуры в палладий-бариевых катодах СВЧ-приборов
В статье представлены результаты комплексных исследований наноструктур палладий-бариевых катодов магнетронов с безнакальным запуском, позволившие сформулировать кристаллитную модель работы данных катодов в СВЧ-приборах. УДК 621.385.73(088.8) | ВАК 05.27.01 DOI: 10.22184/1992-4178.2018.176.5.144.151
Наноиндустрия #3/2014
П.Мальцев, Ю.Федоров, Р.Галиев, С.Михайлович, Д.Гнатюк
Нитридные приборы миллиметрового диапазона
Анализ современного состояния и основных направлений развития технологии создания миллиметровых СВЧ-приборов на широкозонных гетероструктурах (Al,Ga,In)N/GaN показывает, что достигнутый в ИСВЧПЭ РАН технологический уровень находится в хорошем соответствии с общемировыми тенденциями и достижениями. Это создает предпосылки для создания и освоения российского промышленного производства комплектов монолитных интегральных схем для приемопередающих систем Ка-, V- и W-диапазонов частот, превосходящих по своим параметрам СВЧ-приборы на арсенидных гетероструктурах.
Разработка: студия Green Art