sitemap
Наш сайт использует cookies. Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей Политикой Конфиденциальности
Согласен
Поиск:

Вход
Архив журнала
Журналы
Медиаданные
Редакционная политика
Реклама
Авторам
Контакты
TS_pub
technospheramag
technospheramag
ТЕХНОСФЕРА_РИЦ
© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

Яндекс.Метрика
R&W
 
 
Вход:

Ваш e-mail:
Пароль:
 
Регистрация
Забыли пароль?
Книги по нанотехнологиям
Под редакцией Ю-Винг Май, Жонг-Жен Ю
Другие серии книг:
Мир материалов и технологий
Библиотека Института стратегий развития
Мир квантовых технологий
Мир математики
Мир физики и техники
Мир биологии и медицины
Мир химии
Мир наук о Земле
Мир электроники
Мир программирования
Мир связи
Мир строительства
Мир цифровой обработки
Мир экономики
Мир дизайна
Мир увлечений
Мир робототехники и мехатроники
Для кофейников
Мир радиоэлектроники
Библиотечка «КВАНТ»
Умный дом
Мировые бренды
Вне серий
Библиотека климатехника
Мир транспорта
Мир фотоники
Мир станкостроения
Мир метрологии
Мир энергетики
Книги, изданные при поддержке РФФИ
Тег "substrate"
Электроника НТБ #7/2021
В. Иванов, Ф. Уголини
МОНТАЖ КРИСТАЛЛОВ ПО ТЕХНОЛОГИИ СИНТЕРИНГА ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА ЭЛЕМЕНТОВ И МОДУЛЕЙ СИЛОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ
DOI: 10.22184/1992-4178.2021.208.7.174.187 Рассмотрен монтаж кристаллов по технологии синтеринга для производства элементов и модулей силовой электроники. Приведена информация о применяемых материалах, процессе монтажа и необходимом оборудовании.
Электроника НТБ #6/2021
В. Горбачёв, В. Кочемасов
РЕЗИСТОРЫ – ОСНОВНЫЕ ТИПЫ И ХАРАКТЕРИСТИКИ. Часть 2
DOI: 10.22184/1992-4178.2021.207.6.74.87 Рассмотрены резисторы различных типов. Приведена информация об особенностях, характеристиках и технологиях производства таких компонентов.
Электроника НТБ #6/2020
Д. Вертянов, С. Евстафьев, П. Виклунд, В. Сидоренко
Технологии внутреннего монтажа бескорпусных элементов и особенности проектирования микросистем со встроенными кристаллами. Часть 1
DOI: 10.22184/1992-4178.2020.197.6.96.102 В статье представлен обзор технологий и конструктивно-­технологических решений для внутреннего монтажа бескорпусных элементов в структуру подложки корпусов и печатных плат, рассмотрены проблемы и способы их решения в процессе реализации проекта со встроенными активными и пассивными элементами, выполненного с помощью САПР компании Mentor, A Siemens Business.
Электроника НТБ #9/2014
У.Бекирев, С.Бабенко, В.Крюков, Б.Потапов, А.Скипер
СВЕТОДИОД НА ОСНОВЕ МНОГОПРОХОДНОЙ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ
Приведены некоторые конструкции светодиодных чипов на основе многопроходных тонкопленочных p-n-гетероструктур. При изготовлении чипов светодиодов использовался высокотемпературный клей для посадки тонкопленочной излучающей p-n-гетероструктуры толщиной 15–30 мкм на подложку-носитель. Проведены экспериментальные исследования некоторых характеристик чипов светодиодов. Внешний квантовый выход тонкопленочных многопроходных светодиодов превысил 20%, а светодиодов на основе таких чипов – 30%, Таким образом, тонкопленочные чипы светодиодов заметно превосходят нетонкопленочные.
Электроника НТБ #9/2014
У.Бекирев, Б.Потапов
НЕКОТОРЫЕ ОСОБЕННОСТИ ИЗЛУЧАТЕЛЕЙ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР С ВНУТРЕННИМ УСИЛЕНИЕМ ИНЖЕКЦИИ
Рассмотрен новый тип многопроходных излучающих гетероструктур – гетероструктуры с внутренним усилением инжекции, где активная область состоит из двух или более слоев с разными толщиной, легированием и шириной запрещенной зоны. Исследованы возможности и найдены критерии усиления инжекции в таких гетероструктурах. Эти критерии справедливы и для гетероструктур с поглощающей подложкой. Исследованы светодиоды и лазеры на основе таких гетероструктур. В светодиодах наблюдалось значительное возрастание внешнего квантового выхода излучения, начиная с некоторой плотности тока через p-n-переход. При исследовании лазеров обнаружены релаксационные импульсы тока и света в области пороговых токов. В светодиодах и лазерах возможен также эффект самоохлаждения узкозонного слоя активной области. Возможно получение эффекта тонкопленочности в нетонкопленочных структурах. Гетероструктуры с внутренним усилением инжекции могут быть перспективными для совершенствования полупроводниковых излучателей.
Наноиндустрия #1/2011
И.Короташ, В.Одиноков, Г.Павлов, Д.Полоцкий, Э.Руденко, В.Семенюк, В.Сологуб.
Формирование углеродных наноструктур в едином технологическом цикле
Разработана технология ионно-плазменного формирования массивов углеродных нанотрубок (УНТ) на подложках монокристаллического кремния, ориентированная на создание автоэмиссионных источников электронов для дисплеев с высокой разрешающей способностью. Технология реализуется в выпускаемом вакуумно-технологическом оборудовании.
Разработка: студия Green Art