Наноиндустрия - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1993-8578
ISSN 2687-0282 (online)

Книги по нанотехнологиям

Статьи

Наноиндустрия #7-8/2024

Новости // все новости

13.03.2025

26.02.2025

События // все события

c 09.04.2025 до 11.04.2025

Тег "substrate"

Электроника НТБ #7/2021
В. Иванов, Ф. Уголини
МОНТАЖ КРИСТАЛЛОВ ПО ТЕХНОЛОГИИ СИНТЕРИНГА ДЛЯ ПРОИЗВОДСТВА ЭЛЕМЕНТОВ И МОДУЛЕЙ СИЛОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

DOI: 10.22184/1992-4178.2021.208.7.174.187 Рассмотрен монтаж кристаллов по технологии синтеринга для производства элементов и модулей силовой электроники. Приведена информация о применяемых материалах, процессе монтажа и необходимом оборудовании.

Электроника НТБ #6/2021
В. Горбачёв, В. Кочемасов
РЕЗИСТОРЫ – ОСНОВНЫЕ ТИПЫ И ХАРАКТЕРИСТИКИ. Часть 2

DOI: 10.22184/1992-4178.2021.207.6.74.87 Рассмотрены резисторы различных типов. Приведена информация об особенностях, характеристиках и технологиях производства таких компонентов.

Электроника НТБ #6/2020
Д. Вертянов, С. Евстафьев, П. Виклунд, В. Сидоренко
Технологии внутреннего монтажа бескорпусных элементов и особенности проектирования микросистем со встроенными кристаллами. Часть 1

DOI: 10.22184/1992-4178.2020.197.6.96.102 В статье представлен обзор технологий и конструктивно-технологических решений для внутреннего монтажа бескорпусных элементов в структуру подложки корпусов и печатных плат, рассмотрены проблемы и способы их решения в процессе реализации проекта со встроенными активными и пассивными элементами, выполненного с помощью САПР компании Mentor, A Siemens Business.

Электроника НТБ #9/2014
У.Бекирев, С.Бабенко, В.Крюков, Б.Потапов, А.Скипер
СВЕТОДИОД НА ОСНОВЕ МНОГОПРОХОДНОЙ ТОНКОПЛЕНОЧНОЙ ГЕТЕРОСТРУКТУРЫ

Приведены некоторые конструкции светодиодных чипов на основе многопроходных тонкопленочных p-n-гетероструктур. При изготовлении чипов светодиодов использовался высокотемпературный клей для посадки тонкопленочной излучающей p-n-гетероструктуры толщиной 15–30 мкм на подложку-носитель. Проведены экспериментальные исследования некоторых характеристик чипов светодиодов. Внешний квантовый выход тонкопленочных многопроходных светодиодов превысил 20%, а светодиодов на основе таких чипов – 30%, Таким образом, тонкопленочные чипы светодиодов заметно превосходят нетонкопленочные.

Электроника НТБ #9/2014
У.Бекирев, Б.Потапов
НЕКОТОРЫЕ ОСОБЕННОСТИ ИЗЛУЧАТЕЛЕЙ НА ОСНОВЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР С ВНУТРЕННИМ УСИЛЕНИЕМ ИНЖЕКЦИИ

Рассмотрен новый тип многопроходных излучающих гетероструктур – гетероструктуры с внутренним усилением инжекции, где активная область состоит из двух или более слоев с разными толщиной, легированием и шириной запрещенной зоны. Исследованы возможности и найдены критерии усиления инжекции в таких гетероструктурах. Эти критерии справедливы и для гетероструктур с поглощающей подложкой. Исследованы светодиоды и лазеры на основе таких гетероструктур. В светодиодах наблюдалось значительное возрастание внешнего квантового выхода излучения, начиная с некоторой плотности тока через p-n-переход. При исследовании лазеров обнаружены релаксационные импульсы тока и света в области пороговых токов. В светодиодах и лазерах возможен также эффект самоохлаждения узкозонного слоя активной области. Возможно получение эффекта тонкопленочности в нетонкопленочных структурах. Гетероструктуры с внутренним усилением инжекции могут быть перспективными для совершенствования полупроводниковых излучателей.

Наноиндустрия #1/2011
И.Короташ, В.Одиноков, Г.Павлов, Д.Полоцкий, Э.Руденко, В.Семенюк, В.Сологуб.
Формирование углеродных наноструктур в едином технологическом цикле

Разработана технология ионно-плазменного формирования массивов углеродных нанотрубок (УНТ) на подложках монокристаллического кремния, ориентированная на создание автоэмиссионных источников электронов для дисплеев с высокой разрешающей способностью. Технология реализуется в выпускаемом вакуумно-технологическом оборудовании.