Наноиндустрия - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2024
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1993-8578
ISSN 2687-0282 (online)

Книги по нанотехнологиям

Тег "полевые транзисторы"

Электроника НТБ #8/2020
М. Макушин
МОЩНЫЕ SiC- И GaN‑ПРИБОРЫ: ПЕРСПЕКТИВЫ РАЗВИТИЯ

DOI: 10.22184/1992-4178.2020.199.8.46.58 Дальнейшее развитие силовой электроники связано с совершенствованием мощных полупроводниковых приборов. Возможности традиционной кремниевой технологии практически исчерпаны, дальнейшие перспективы связаны с приборами на основе карбида кремния (SiC) и нитрида галлия (GaN)

Наноиндустрия #1/2011
А.Алексеев, Д.Красовицкий, С.Петров, В.Чалый.
Выращивание высокосовершенных гетероструктур III-N 20

ЗАО «НТО» (SemiTEq) – лидирующий российский производитель установок молекулярно-лучевой эпитаксии (МЛЭ) для выращивания материалов в системах InAlGaN (III-N), InAlGaAs, широкозонных соединений А2В6, других гетероструктур. В работе представлены результаты по использованию для выращивания гетероструктур системы III-N специализированной установки МЛЭ STE3N2. Ее уникальные особенности – расширенный диапазон температур подложки (до 1200°С) и отношений V/III. На основе полученных гетероструктур созданы мощные полевые транзисторы с рекордными для России параметрами.