Наноиндустрия - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1993-8578
ISSN 2687-0282 (online)

Книги по нанотехнологиям

Статьи

Наноиндустрия #7-8/2024

Новости // все новости

09.04.2025

01.04.2025

События // все события

c 21.10.2025 до 23.10.2025

Тег "power electronics"

Электроника НТБ #8/2022
Ш. Шугаепов, Е. Ермолаев, В. Егошин, Р. Ахметгалиев
МЕТАЛЛОКЕРАМИЧЕСКИЕ КОРПУСА АО «ЗПП» ДЛЯ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ И МИКРОСХЕМ СИЛОВОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ

DOI: 10.22184/1992-4178.2022.219.8.56.60 Рассмотрены металлокерамические корпуса производства АО «Завод полупроводниковых приборов» (АО «ЗПП») для полупроводниковых приборов и интегральных микросхем силовой электроники. Приведена информация об особенностях и характеристиках этих корпусов.

Электроника НТБ #8/2022
М. Гундарцев, С. Клейн
СИЛОВАЯ ЭЛЕКТРОНИКА: ОТЕЧЕСТВЕННЫЙ IGBT-ДРАЙВЕР ПРОИЗВОДСТВА АО «АНГСТРЕМ»

DOI: 10.22184/1992-4178.2022.219.8.42.45 Приведено краткое описание изделий силовой электроники, разработанных и произведенных в АО «Ангстрем». Отмечено, что продукция силовой электроники, выпускаемая на производственных мощностях АО «Ангстрем», на существующем технологическом уровне удовлетворяет самым высоким требованиям функциональности, надежности, температурной стойкости.

Наноиндустрия #7-8/2018
А.Афанасьев, В.Ильин, В.Лучинин, А.Михайлов
Газофазная эпитаксия – ключевая технология силовых МДП-транзисторов на карбиде кремния

Рассмотрены особенности применения и возможности газофазной эпитаксии в технологии изготовления силовых вертикальных МДП-транзисторов на основе 4H–SiC при формировании дрейфовой области прибора и оптимизации электрофизических свойств канала транзистора. С технологической точки зрения ключевыми элементами для создания карбидокремниевых компонент силовой электроники, определившими возможность создания электронной компонентной базы (ЭКБ) силовой электроники на 4H–SiC, являются технологии объемного и эпитаксиального роста. Улучшение технологии эпитаксиального роста наряду с улучшением качества подложек сделало возможным изготовление приборных структур, демонстрирующих преимущества карбида кремния как базового материала силовой электроники по сравнению с другими полупроводниками. DOI: 10.22184/1993-8578.2018.11.7-8.488.497

Электроника НТБ #7/2018
М. Макушин, А. Фомина
Проблемы развития микроэлектроники в Европе

Рассматривается новый общеевропейский проект в сфере микроэлектроники. Основные направления проекта: технология полностью обедненного кремния на изоляторе (КНИ, FD-SOI), датчики, силовая электроника и сложные полупроводниковые приборы (compound semiconductors). У Европы есть шанс стать лидером в области Интернета вещей при использовании собственных активов. DOI: 10.22184/1992-4178.2018.178.7.160.170 УДК 621.37 | ВАК 05.27.06

Наноиндустрия #8/2017
А.Афанасьев, В.Вьюгинов, Н.Гладков, А.Зыбин, В.Ильин, В.Клевцов, В.Кутузов, В.Лучинин, В.Попов
Импортозамещение карбидокремниевой ЭКБ. Стратегическое партнерство СПбГЭТУ "ЛЭТИ" и ПАО "Светлана"

В рамках решения задачи импортозамещения с целью обеспечения технологической независимости и безопасности государства реализовано стратегическое партнерство СПбГЭТУ "ЛЭТИ" и ПАО "Светлана" в области организации отечественного технологического маршрута изготовления ЭКБ на основе карбида кремния. УДК 621.382, ВАК 05.27.06, DOI: 10.22184/1993-8578.2017.79.8.50.59

Электроника НТБ #8/2014
"Группа Кремний ЭЛ": новая отечественная элементная база для силовой электроники

Рассматриваются представленные на конференции, посвященной разработке и производству современной элементной базы для вторичных источников электропитания, новые разработки и перспективные технологии, внедряемые компанией "Группа Кремний ЭЛ". Отмечается, что созданы предпосылки для развития российской импортонезависимой (import independed) микроэлектроники.