Наноиндустрия #3-4/2019
В.Ю.Васильев
О методологии оценки конформности атомно-слоевого осаждения тонких пленок в высокоаспектных наноструктурах Рассмотрены проблемы и способы количественной характеризации конформности тонкопленочных покрытий на поверхностях высокоаспектных наноструктур при атомно-слоевом осаждении (АСО). Автор развивает ранее предложенную методологию анализа конформности тонкопленочных покрытий методами химического и плазменного осаждения из газовой фазы и АСО. Предложенная автором методология позволяет проводить адекватную оценку и количественное сравнение результатов для структур различной сложности при использовании различных методов и режимов получения тонких пленок методом АСО. Наноиндустрия #6/2018
А.Веселов
Оборудование компании Picosun для синтеза сверхтонких пленок по технологии атомно-слоевого осаждения Рассматривается история разработки, принципы, преимущества и ограничения технологии атомно-слоевого осаждения (АСО), а также оборудование компании Picosun для исследовательских и промышленных задач. DOI: 10.22184/1993-8578.2018.11.6.434.444 Наноиндустрия #9/2018
Черникова Анна Георгиевна, Красников Геннадий Яковлевич, Горнев Евгений Сергеевич, Козодаев Максим Геннадьевич, Негров Дмитрий Владимирович, Орлов Олег Михайлович, Зенкевич Андрей Владимирович, Маркеев Андрей Михайлович
1Т-1С-ячейки и массивы сегнетоэлектрической памяти на основе оксида гафния УДК 538.956/537.226.4 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.281 Наноиндустрия #7/2017
В.Одиноков
Новые вакуумно-плазменные процессы и оборудование для микроэлектроники Рассмотрены актуальные вакуумно-плазменные процессы для микроэлектроники: атомно-слоевое осаждение, плазмохимическое травление, формирование мелкощелевой изоляции и очистка поверхности пластин. УДК 621.382, ВАК 05.27.01, DOI: 10.22184/1993-8578.2017.78.7.72.81 Печатный монтаж #8/2016
О.Симонов
Применение атомно-слоевого осаждения тонких пленок в качестве метода сдерживания роста вискеров В статье обсуждается метод атомно-слоевого осаждения. Эта технология, позволяющая получать тонкие конформные пленки, получает распространение в микроэлектронике и сборочном электронном производстве как один из перспективных методов защиты от образования вискеров – нитевидных кристаллов, способных вызывать короткие замыкания в корпусе микросхемы и между паяными соединениями печатной платы. Наноиндустрия #7/2015
А.Веселов
Оборудование для синтеза сверхтонких пленок по технологии атомно-слоевого осаждения Технология атомно-слоевого осаждения (АСО) была запатентована в 1974 году в Финляндии доктором Туомо Сунтола. В настоящее время множество компаний производят оборудование, реализующее принципы АСО, но технологическое лидерство принадлежит компании Picosun, в которой Т.Сунтола является членом совета директоров. 10.22184/1993-8578.2015.61.7.72.80 Электроника НТБ #9/2014
А.Гудков, А.Гогин, М.Кик, А.Козлов, А.Самусь
МЕМРИСТОРЫ – НОВЫЙ ТИП ЭЛЕМЕНТОВ РЕЗИСТИВНОЙ ПАМЯТИ ДЛЯ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ Рассмотрены возможности формирования мемристивных структур различными технологическими методами и с различными материалами барьерных слоев. Показана перспективность использования мемристоров в развитии полупроводниковой электроники. Описана технология формирования экспериментальных образцов мемристоров. Представлены предварительные результаты экспериментального исследования мемристивных структур Pt/TiO2/TiOx/Pt. Показан процесс "формовки" (электроформовки) и последовательное изменение вольт-амперной характеристики. Приведена типичная вольт-амперная характеристика мемристора Pt/TiO2/TiOx/Pt после проведения процесса "формовки". Электроника НТБ #9/2014
В.Быков, К.Борисов, Ал.Быков, Ан.Быков, В.Котов, В.Поляков, В.Шиллер
ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ КОМПЛЕКСЫ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СИСТЕМ БЕСШАБЛОННОЙ ЛИТОГРАФИИ В статье изложен подход к созданию кластерных комплексов замкнутого цикла для разработки и мелкосерийного производства БИС- и СБИС-базы микро- и наноэлектроники с помощью систем бесшаблонной высокопроизводительной многолучевой электронной литографии и технологических комплексов сухой финишной очистки и планаризации с использованием ускоренных больших Ван-дер-Ваальсовых кластеров. "Гибкость" и адаптивность технологической линии под заданный тип технологического процесса обусловлены модульной конструкцией линии, объединенной единой сверхвысоковакуумной транспортной системой. Кроме технологических кластеров, технологическая линия может содержать метрологические и аналитические модули, модули коррекции топологии, обеспечивая разработки и малосерийное производство элементной базы наноэлектроники технологического уровня 22–14 нм. Наноиндустрия #4/2015
О.Симонов
Атомно-слоевое осаждение – технология, меняющая мир В статье изложены ключевые особенности технологии атомно-слоевого осаждения и некоторых ее практических применений. DOI:10.22184/1993-8578.2015.58.4.40.45 Наноиндустрия #2/2015
С.Никифоров, А.Алексеев, И.Яминский, Д.Смагулова, Д.Бурлуцкий
Функциональные нанопокрытия: тенденции и перспективы Функциональные нанопокрытия – направление нанотехнологий, в котором ведутся не только фундаментальные исследования, но и активно реализуются промышленные проекты. О перспективных направлениях разработок и достижениях в этой области рассказывают наши эксперты. DOI:10.22184/1993-8578.2015.56.2.18.25