sitemap
Наш сайт использует cookies. Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей Политикой Конфиденциальности
Согласен
Поиск:

Вход
Архив журнала
Журналы
Медиаданные
Редакционная политика
Реклама
Авторам
Контакты
TS_pub
technospheramag
technospheramag
ТЕХНОСФЕРА_РИЦ
© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

Яндекс.Метрика
R&W
 
 
Вход:

Ваш e-mail:
Пароль:
 
Регистрация
Забыли пароль?
Книги по нанотехнологиям
Мартинес-Дуарт Дж. М., Мартин-Палма Р.Дж., Агулло-Руеда Ф.
Другие серии книг:
Мир материалов и технологий
Библиотека Института стратегий развития
Мир квантовых технологий
Мир математики
Мир физики и техники
Мир биологии и медицины
Мир химии
Мир наук о Земле
Мир электроники
Мир программирования
Мир связи
Мир строительства
Мир цифровой обработки
Мир экономики
Мир дизайна
Мир увлечений
Мир робототехники и мехатроники
Для кофейников
Мир радиоэлектроники
Библиотечка «КВАНТ»
Умный дом
Мировые бренды
Вне серий
Библиотека климатехника
Мир транспорта
Мир фотоники
Мир станкостроения
Мир метрологии
Мир энергетики
Книги, изданные при поддержке РФФИ
Тег "усилитель мощности"
Электроника НТБ #10/2021
Д. Садеков
ВЧ-УСИЛИТЕЛИ ОТ ANALOG DEVICES: ОБЗОР НОВИНОК
DOI: 10.22184/1992-4178.2021.211.10.102.105 Analog Devices предлагает все необходимые компоненты для построения сигнальной цепи преобразования ВЧ/СВЧ-сигналов и создания устройств, работающих на частотах до 100 ГГц. В статье представлен обзор новинок в линейке ВЧ-усилителей, выпущенных компанией за последнее время.
Электроника НТБ #10/2020
С.Тарасов, Д.Колесников, Г.Глушков, М.Полунин, С.Рябыкин, А.Ткачев
ВОЗМОЖНА ЛИ ЗАМЕНА ИМПОРТНЫХ СВЧ GAN-ТРАНЗИСТОРОВ ОТ ИЗВЕСТНЫХ МИРОВЫХ ПРОИЗВОДИТЕЛЕЙ НА ОТЕЧЕСТВЕННЫЕ АНАЛОГИ?
DOI: 10.22184/1992-4178.2020.201.10.100.104 В статье рассмотрены результаты измерения параметров GaN HEMT-транзистора производства АО «ПКК Миландр» в составе тестового усилителя мощности при работе в непрерывном режиме в диапазоне частот 3,4–3,8 ГГц, проведено сравнение полученных данных с характеристиками GaN-транзистора CGHV40030F от компании Wolfspeed. Представлены перспективные разработки АО «ПКК Миландр» в области СВЧ GaN HEMT-транзисторов для широкого диапазона частот и силовых транзисторов.
Электроника НТБ #6/2018
Р. Смит, Л. Девлин, Р. Сантакумар, Р. Мартин, Г. Кон
Экономически выгодный согласованный по входу гибридный GaN-транзистор для применения в радарах S-диапазона
Рассмотрен GaN-транзистор QPD1020, в котором используется внутренняя входная согласующая цепь, реализованная на GaAs-кристалле. Отмечено, что данный транзистор обладает характеристиками, которые позволяют успешно использовать его в радиолокационных приложениях S-диапазона. DOI: 10.22184/1992-4178.2018.177.6.74.78 УДК 621.382 | ВАК 05.27.01
Электроника НТБ #9/2017
Дж.М.Грин, Р.М.Х.Смит, Л.М.Дэвлин, Р.Сантакумар, Р.Мартин, Г.Кон
Усилитель мощности L-диапазона на базе GaN-транзистора
Рассмотрен усилитель мощности на базе GaN-транзистора QPD1013 компании Qorvo. Особое внимание уделено вопросам теплового режима, актуальным при использовании мощных GaN-транзисторов в корпусах для поверхностного монтажа. УДК 621.382 ВАК 05.27.00 DOI: 10.22184/1992-4178.2017.170.9.98.103
Электроника НТБ #6/2017
Э.Колон, Р.Сетти, М.Мордкович, В.Ченг, Дж.Куинн, Дж.Ньюболд, Б.Каплан
Практическая схема с расширенной полосой частот на основе СВЧ МИС усилителей мощности
Рассмотрена практическая схема с расширенным диапазоном частот на основе усилителей мощности GVA-91+ компании Mini-Circuits. Приводятся результаты измерений, показывающие отличные характеристики схемы в широком диапазоне частот. УДК 621.375.026 ВАК 05.27.00 DOI: 10.22184/1992-4178.2017.166.6.118.121
Электроника НТБ #10/2015
Ж.-П.Гильме
Измерение параметров усилителя мощности в импульсных режимах: использование ВАЦ Anritsu VectorStar
Рассматривается применение векторных анализаторов цепей (ВАЦ) для измерения параметров усилителя мощности в импульсных режимах. Новый метод измерений, реализованный в ВАЦ VectorStar компании Anritsu, повышает точность отслеживания изменений в импульсных выходных сигналах усилителя мощности на базе нитрида галлия.
Наноиндустрия #3/2015
Ю.Федоров, П.Мальцев, О.Матвеенко, Д.Гнатюк, Д.Крапухин, Б.Путинцев, А.Павлов, А.Зуев
МИС усилителей со встроенными антеннами СВЧ-диапазона на наногетероструктурах
В ИСВЧПЭ РАН разработаны конструкции монолитных интегральных схем (МИС) со встроенными антеннами для приемных и передающих трактов с усилителями мощности и малошумящими усилителями соответственно. МИС усилителей со встроенными антеннами изготовлены на гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs для диапазонов частот 5 и 10–12 ГГц и AlGaN/GaN для диапазона 58–65 ГГц. Измерены диаграммы направленности антенн. DOI:10.22184/1993-8578.2015.57.3.44.51
Разработка: студия Green Art