Наноиндустрия #9/2018
Аболдуев Игорь Михайлович, Краснов Вячеслив Владимирович, Миннебаев Станислав Вадимович, Филатов Анатолий Леонидович
Проектирование GaN HEMT для приемных устройств
DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.459.463
Электроника НТБ #7/2016
Е.Балашов, А.Коротков, И.Румянцев
Интегральные КМОП-схемы диапазона СВЧ: Опыт разработки
Рассмотрены особенности построения СВЧ ИС на основе КМОП-технологии. Описаны примеры проектов СВЧ ИС, в том числе малошумящие усилители, генераторы, управляемые напряжением, смесители, фазовращатели и усилители мощности.
Наноиндустрия #3/2015
Ю.Федоров, П.Мальцев, О.Матвеенко, Д.Гнатюк, Д.Крапухин, Б.Путинцев, А.Павлов, А.Зуев
МИС усилителей со встроенными антеннами СВЧ-диапазона на наногетероструктурах
В ИСВЧПЭ РАН разработаны конструкции монолитных интегральных схем (МИС) со встроенными антеннами для приемных и передающих трактов с усилителями мощности и малошумящими усилителями соответственно. МИС усилителей со встроенными антеннами изготовлены на гетероструктурах AlGaAs/InGaAs/GaAs для диапазонов частот 5 и 10–12 ГГц и AlGaN/GaN для диапазона 58–65 ГГц. Измерены диаграммы направленности антенн. DOI:10.22184/1993-8578.2015.57.3.44.51