Наноиндустрия #9/2018
Чуков Георгий Викторович, Елесин Вадим Владимирович, Назарова Галина Николаевна, Усачев Николай Александрович, Бойченко Дмитрий Владимирович, Никифоров Александр Юрьевич, Телец Виталий Арсеньевич
Влияние выбора контролируемых параметров- критериев годности на результат оценки уровня радиационной стойкости современных изделий твердотельной СВЧ электроники Проанализировано влияние выбора параметров — критериев годности и норм на их отклонение на уровни радиационной стойкости ЭКБ СВЧ диапазона. УДК 621.382 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.498.499 Наноиндустрия #2/2017
Е.Кузнецов, А.Сауров
Аппаратные трояны. Часть 4: программно-аппаратные контрмеры В завершающей статье, посвященной аппаратным троянам, рассматривается построение безопасных систем, которые надежно функционировали бы, в том числе, в присутствии аппаратной закладки произвольного типа. Хотя общий подход к такому способу противодействия на сегодняшний день не разработан и не предложен, рассмотрим некоторые аспекты такой защиты, детали ее реализации и проведем общий анализ применимости подобных контрмер. УДК 621.382, ВАК 05.27.01, DOI: 10.22184/1993-8578.2017.72.2.42.56 Наноиндустрия #1/2017
Д.Копцев, О.Кузнецова, Н.Шелепин
Малошумящий усилитель по технологии кремний-на-изоляторе с топологическими нормами 0,18 мкм Проведено экспериментальное исследование возможности реализации МШУ на основе КМОП КНИ-технологии с нормами 0,18 мкм. Рассматриваются преимущества КНИ-технологии для изготовления СВЧ ИС. Разработан и изготовлен МШУ с использованием КМОП КНИ-технологии, имеющей шесть уровней алюминиевой металлизации. DOI:10.22184/1993-8578.2017.71.1.88.94 Наноиндустрия #1/2017
Ю.Московская, Р.Федоров, А.Денисов, Д.Бобровский, А.Уланова, А.Никифоров
Состав и принцип формирования типовой оценочной схемы как имитатора БМК и полузаказных БИС на их основе для задач радиационных испытаний Проанализированы основные особенности и недостатки существующей системы обеспечения требований радиационной стойкости для полузаказных БИС на основе БМК путем разработки и испытаний типовой оценочной схемы (ТОС). Предложено включать в состав ТОС все базовые библиотечные элементы. Предлагается максимально унифицировать ТОС для задач характеризации БМК и контроля партий пластин, анализа особенностей контроля стабильности техпроцесса и оценки радиационной стойкости рабочих зашивок по результатам испытаний ТОС. DOI:10.22184/1993-8578.2017.71.1.60.69 Наноиндустрия #1/2017
Ю.Московская
Общий методический подход к оценке радиационной стойкости БМК и полузаказных БИС на их основе Разработан и обоснован общий методический подход к оценке радиационной стойкости БМК и полузаказных БИС на их основе. Проанализированы основные особенности БИС на БМК в части задач обеспечения и оценки их радиационной стойкости, обобщены доминирующие радиационные эффекты в БИС на БМК. DOI:10.22184/1993-8578.2017.71.1.50.59 Наноиндустрия #1/2017
Е.Кузнецов, А.Сауров
Аппаратные трояны. Часть 3: способы предупреждения и обнаружения В третьей части цикла обзорных статей рассмотрены наиболее действенные способы предупреждения и обнаружения аппаратных закладок в интегральных схемах – аппаратных троянов. DOI:10.22184/1993-8578.2017.71.1.30.40 Наноиндустрия #7/2016
Е.Кузнецов, А.Сауров
Аппаратные трояны. Часть 1: новые угрозы кибербезопасности Рассмотрены потенциальные угрозы кибербезопасности, которые несут аппартные трояны. Анализируются возможные пути их несанкционированного внедрения. Приведена всесторонняя классификация аппаратных троянов. DOI:10.22184/1993-8578.2016.69.7.16.25 Наноиндустрия #6/2015
В.Вернер, Е.Кузнецов, А.Сауров
Закону Мура 50 лет: завершение или изменение? В третьей части статьи анализируется восприятие отраслевым сообществом закона Мура в прошлом, настоящем и будущем. DOI:10.22184/1993-8578.2015.60.6.50.62 Наноиндустрия #4/2015
В.Вернер, Е.Кузнецов, А.Сауров
Закону Мура 50 лет: масштабирование элементов ИС В первой части серии публикаций, посвященных 50-летию закона Мура, рассмотрена связь масштабирования элементов ИС с реализацией закона Мура. DOI:10.22184/1993-8578.2015.58.4.22.38 Электроника НТБ #4/2015
Ю.Носов
О рождении микроэлектроники. Величайшая научно-техническая революция и современность История рождения микроэлектроники, увлекательная сама по себе, вызывает сегодня особенно пристальное внимание в связи с обострившейся общеполитической ситуацией в мире, стремлением западных держав посредством санкций изолировать нашу страну от мирового прогресса электроники. Характерно, что во времена "холодной войны" нам приходилось решать многие из тех проблем, которые возникают сегодня.