Наноиндустрия - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1993-8578
ISSN 2687-0282 (online)

Книги по нанотехнологиям

Статьи

Наноиндустрия #7-8/2024

Новости // все новости

01.04.2025

События // все события

c 09.04.2025 до 11.04.2025

Тег "тонкопленочная технология"

Наноиндустрия #6/2017
Л.Колесник, К.Моисеев, Ю.Панфилов, В.Рябов, С.Сидорова
Лабораторный комплекс с удаленным доступом для нанесения тонких пленок в вакууме

Рассмотрены вакуумные установки для нанесения тонких пленок с автоматическим управлением, встроенным в систему удаленного доступа. На установках реализованы методы термического, магнетронного, ионно-лучевого и газофазного осаждения наноструктурированных тонкопленочных покрытий. Разработаны методическое обеспечение для подготовки к выполнению лабораторных работ и виртуальный симулятор для обучения практической работе на установке. УДК 621.793 ВАК 05.16.08 DOI: 10.22184/1993-8578.2017.77.6.76.82

Наноиндустрия #2/2017
Р.Каракулов, В.Одиноков, В.Панин, А.Шубников, Д.Владимиров, С.Владимиров, А.Голубцов
Установка магнетронного распыления "Магна ТМ 7" в технологии создания тонкопленочных ГИС СВЧ

Представлена новая разработка ОАО "НИИ точного машиностроения" – вакуумная установка "Магна ТМ 7". Рассмотрены ее устройство и принцип работы. На установке получены тонкие резистивные пленки на прямоугольных поликоровых пластинах ВК-100-1 магнетронным распылением дисковых мишеней диаметром 100 мм из материалов РС3710 и РС5406. Четырехзондовым методом установлено, что значения удельного поверхностного сопротивления полученных пленочных резисторов могут достигать 100 Ом/кв. УДК 621.3.049.76.002.5, ВАК 05.04.06, DOI: 10.22184/1993-8578.2017.72.2.80.86

Наноиндустрия #4/2015
О.Симонов
Атомно-слоевое осаждение – технология, меняющая мир

В статье изложены ключевые особенности технологии атомно-слоевого осаждения и некоторых ее практических применений. DOI:10.22184/1993-8578.2015.58.4.40.45