Наноиндустрия #2/2016
К.Вавилин, Е.Кралькина, П.Неклюдова, А.Петров, А.Никонов, В.Павлов, А.Айрапетов, В.Одиноков, Г.Павлов, В.Сологуб
Геликонный источник как элемент гибридной плазменной системы в установках для нанесения тонкопленочных покрытий с управляемой наноструктурой
Представлены результаты разработки и оптимизации параметров экспериментальной установки для нанесения покрытий из различных материалов, выполненной на основе гибридной плазменной системы, которая состоит из магнетронного и вакуумно-дугового распылительных источников, а также ассистирующего геликонного источника. DOI:10.22184/1993-8578.2016.64.2.74.86
Электроника НТБ #9/2014
В.Быков, К.Борисов, Ал.Быков, Ан.Быков, В.Котов, В.Поляков, В.Шиллер
ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ КОМПЛЕКСЫ НАНОЭЛЕКТРОНИКИ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ СИСТЕМ БЕСШАБЛОННОЙ ЛИТОГРАФИИ
В статье изложен подход к созданию кластерных комплексов замкнутого цикла для разработки и мелкосерийного производства БИС- и СБИС-базы микро- и наноэлектроники с помощью систем бесшаблонной высокопроизводительной многолучевой электронной литографии и технологических комплексов сухой финишной очистки и планаризации с использованием ускоренных больших Ван-дер-Ваальсовых кластеров. "Гибкость" и адаптивность технологической линии под заданный тип технологического процесса обусловлены модульной конструкцией линии, объединенной единой сверхвысоковакуумной транспортной системой. Кроме технологических кластеров, технологическая линия может содержать метрологические и аналитические модули, модули коррекции топологии, обеспечивая разработки и малосерийное производство элементной базы наноэлектроники технологического уровня 22–14 нм.