Тег "магнетронное распыление"
Наноиндустрия #6/2023 А.Х.Абдуев, А.Ш.Асваров, А.К.Ахмедов, Э.К.Мурлиев АНАЛИЗ МЕТОДОВ СИНТЕЗА АМОРФНЫХ ФУНКЦИОНАЛЬНЫХ СЛОЕВ НА ОСНОВЕ ZnO ДЛЯ УСТРОЙСТВ ПРОЗРАЧНОЙ ЭЛЕКТРОНИКИ
DOI: https://doi.org/10.22184/1993-8578.2023.16.6.362.368 Проанализированы процессы магнетронного синтеза нанокристаллических и аморфных слоев на основе оксида цинка. Изучено влияние легирующих компонентов и уровня легирования на степень аморфизации слоев. Рассмотрено влияние водорода в составе атмосферы на структурное совершенство синтезируемых слоев. Показана зависимость структуры слоев ZnO–SnO2 от соотношения компонентов в распыляемых мишенях. Обсуждены механизмы формирования аморфных слоев на основе ZnO при магнетронных методах синтеза.
Наноиндустрия #3/2018 Л.Колесник, Мьо Чжо Хлаинг, Зау Пхо Аунг Повышение адгезии токопроводящих покрытий на керамических подложках оксида алюминия
В работе представлены результаты исследования возможности использования подслоя титана для повышения адгезии токопроводящих покрытий к подложкам оксида алюминия. Тонкопленочное медное покрытие осаждалось на подложке из алюмооксидной керамики методом термического испарения, а титановый адгезионный слой был получен методом магнетронного распыления. Установлено, что подслой титана может применяться в качестве адгезионного слоя под материалы, которые используются при пайке компонентов. УДК 621.793; ВАК 05.27.06; DOI: 10.22184/1993-8578.2018.83.3.232.236
Наноиндустрия #9/2018 Ерастов Д. А., Жукова Светлана Александровна, Демин Сергей Анатольевич, Турков Владимир Евгеньевич, Ульянов Сергей Александрович, Трошин Богдан Васильевич, Иванов Сергей Юрьевич, Шумилин А. О. Напыление оксида ванадия с высоким температурным коэффициентом сопротивления
В настоящем докладе сообщается о результатах разработок прибора для измерения сопротивления в процессе осаждения пленок оксида ванадия (VOх), использующихся в качестве терморезистивных слоев микроболометрических матриц, полученных на кремниевых и поликоровых подложках. Покрытия получали методом реактивного магнетронного распыления. Разработан прибор, способный передавать данные сопротивления пленок VOх во время процесса их формирования, в результате чего существенно улучшается воспроизводимость получения слоев VOх с заданными параметрами сопротивления и толщины, а также структуры, соответствующей наибольшему значению температурного коэффициента сопротивления. УДК 535.231.6 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.542.543
Наноиндустрия #2/2017 Р.Каракулов, В.Одиноков, В.Панин, А.Шубников, Д.Владимиров, С.Владимиров, А.Голубцов Установка магнетронного распыления "Магна ТМ 7" в технологии создания тонкопленочных ГИС СВЧ
Представлена новая разработка ОАО "НИИ точного машиностроения" – вакуумная установка "Магна ТМ 7". Рассмотрены ее устройство и принцип работы. На установке получены тонкие резистивные пленки на прямоугольных поликоровых пластинах ВК-100-1 магнетронным распылением дисковых мишеней диаметром 100 мм из материалов РС3710 и РС5406. Четырехзондовым методом установлено, что значения удельного поверхностного сопротивления полученных пленочных резисторов могут достигать 100 Ом/кв. УДК 621.3.049.76.002.5, ВАК 05.04.06, DOI: 10.22184/1993-8578.2017.72.2.80.86
Наноиндустрия #6/2015 В.Шенбергер, П.Фрах, Х.Бартцш, Д.Глесс Прецизионные покрытия в промышленном масштабе: требования, технологии, оборудование
Лаборатория прецизионных покрытий Института органической электроники, электронно-лучевых и плазменных технологий общества Фраунгофера разрабатывает технологии нанесения покрытий методом магнетронного напыления и усиленного плазмой CVD для применения в оптике, сенсорике, электронике и других областях. DOI:10.22184/1993-8578.2015.60.6.70.74
Электроника НТБ #9/2014 А.Гудков, А.Клушин, А.Козлов СВЧ-ИЗЛУЧЕНИЕ ЦЕПОЧЕК ДЖОЗЕФСОНОВСКИХ ПЕРЕХОДОВ Nb/α-Si/Nb
В настоящей работе впервые проведены измерения генерации цепочек низкотемпературных джозефсоновских переходов SDS-типа на основе сверхпроводниковой гетероструктуры Nb/α-Si/Nb. Проведено сравнение мощности излучения цепочек переходов SDS-типа с излучением цепочек джозефсоновских переходов из высокотемпературных сверхпроводников. Показана перспективность использования переходов SDS-типа для создания генераторов миллиметрового и субмиллиметрового диапазонов. Показано, что ширина линии генерации зависит от разброса нормальных сопротивлений джозефсоновских переходов в цепочке.
eng
