Наноиндустрия - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1993-8578
ISSN 2687-0282 (online)

Книги по нанотехнологиям

Статьи

Наноиндустрия #7-8/2024

Новости // все новости

13.03.2025

26.02.2025

События // все события

c 09.04.2025 до 11.04.2025

Тег "defectiveness"

Наноиндустрия #9/2018
Слепцов Евгений Васильевич, Черных Алексей Владимирович, Черных Сергей Владимирович, Слепцова Анастасия Алексеевна, Кондратьев Евгений Сергеевич, Гладышева Надежда Борисовна, Дорофеев Алексей Анатольевич, Диденко Сергей Иванович
Исследование барьеров Шоттки на основе Ni/Au, Mo/Au и Re/Au к AlGaN/GaN гетероструктурам

В настоящей работе проведено исследование влияния отжига в диапазоне температур от 300 до 650 °C на параметры барьера Шоттки и тока утечки контактов Шоттки Ni/Au, Mo/Au и Re/Au к гетероструктурам AlGaN/GaN. УДК 621.382.032.27 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.264.265

Наноиндустрия #9/2018
Сивченко Александр Сергеевич, Кузнецов Евгений Васильевич
Определение основных параметров надежности КМОП процесса полупроводниковой фабрики

В данной работе предложен подход по оценке надежности технологии КМОП ИС. Для этого разработаны методики исследований, автоматизированные программы измерений на их основе и тестовые структуры. Данные методики позволяют проводить исследования по оценке качества подзатворного диэлектрика МОП транзисторов, их стойкости к воздействию горячих носителей и изменению параметров под воздействием высокой температуры при отрицательном напряжении, а также определять надежность шин металлизации и переходных окон к электромиграции. Разработанные методики прошли апробацию на тестовых структурах, изготовленных по технологии 65 нм. Предложенный подход может быть использован на фабриках по производству КМОП ИС для контроля качества технологических процессов, от которых зависят основные характеристики надежности КМОП ИС, а также дизайн-центрами для оценки надежности технологии полупроводниковой фабрики. УДК 621.3.049 .77 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.257.263

Фотоника #6/2015
К.Базалеева, О.Ховова, Е.Цветкова, П.Лукьянов
Изучение структурной стабильности аустенитной стали, полученной методом селективного лазерного плавления

Установлено по уровню удельного электросопротивления, что дефектность решетки стали, полученной методом селективного лазерного плавления (СЛП), на 15% выше, чем дефектность стали того же состава, но полученной стандартной закалкой в воде. Оценена структурная стабильность стали аустенитного класса 03Х16Н15М3, полученной СЛП. Обнаружено расхождение температурных зависимостей с ростом температуры для стали после СЛП и закаленного состояния. Дано объяснение этому эффекту как протекание рекристаллизационных процессов в стали, полученной СЛП-методом, которые в целом завершаются при нагреве до 1100К.