Наноиндустрия - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1993-8578
ISSN 2687-0282 (online)

Книги по нанотехнологиям

Статьи

Наноиндустрия #7-8/2024

Новости // все новости

01.04.2025

События // все события

c 09.04.2025 до 11.04.2025

Тег "non-volatile memory"

Электроника НТБ #7/2024
Д. Садеков
КИТАЙСКИЙ ПРОИЗВОДИТЕЛЬ SHANGHAI BELLING: ОБЗОР ПРОДУКЦИИ ПРОМЫШЛЕННОГО И ГРАЖДАНСКОГО НАЗНАЧЕНИЯ

DOI: 10.22184/1992-4178.2024.238.7.88.91 Shanghai Belling – одна из ведущих микроэлектронных компаний Китая, выпускающая широкую номенклатуру продукции, которая охватывает несколько ключевых направлений: учет энергоресурсов, управление питанием, аналоговые микросхемы общего применения, высокоскоростные и прецизионные АЦП. В статье представлен обзор основных категорий продукции Shanghai Belling промышленного и гражданского назначения.

Наноиндустрия #9/2018
Черникова Анна Георгиевна, Красников Геннадий Яковлевич, Горнев Евгений Сергеевич, Козодаев Максим Геннадьевич, Негров Дмитрий Владимирович, Орлов Олег Михайлович, Зенкевич Андрей Владимирович, Маркеев Андрей Михайлович
1Т-1С-ячейки и массивы сегнетоэлектрической памяти на основе оксида гафния

УДК 538.956/537.226.4 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.281

Наноиндустрия #9/2018
Лебедев Антон Олегович, Иванов Сергей Владимирович, Воронов Даниил Дмитриевич, Орлов Олег Михайлович
Исследование проблем повторяемости и воспроизводимости характеристик ячейки резистивной памяти на основе оксида гафния

В работе будут представлены экспериментальные данные, демонстрирующие наличие проблемы с повторяемостью и воспроизводимостью электрофизических характеристик ячеек ReRAM. Также будет представлен обзор методов улучшения стабильности характеристик, произведен анализ их применимости к имеющимся образцам памяти. Будут предложены различные схемотехниченские и структурные изменения ячеек для повышения стабильности характеристик. УДК 004.076.4 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.234.235

Наноиндустрия #1/2016
А.Петров, Л.Алексеева, А.Иванов, В.Лучинин, А.Романов, T.Чикев, Т.Набатамэ
На пути к нейроморфной мемристорной компьютерной платформе

Эффекты переключения сопротивления в наноразмерных пленках открыли перспективы создания резистивной памяти произвольного доступа (ReRAM), в ячейках которой данные сохраняются за счет изменения сопротивления материала. DOI:10.22184/1993-8578.2016.63.1.94.109