Наноиндустрия - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2024
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1993-8578
ISSN 2687-0282 (online)

Книги по нанотехнологиям

Тег "gallium arsenide"

Наноиндустрия #9/2018
Аболдуев Игорь Михайлович, Краснов Вячеслив Владимирович, Миннебаев Станислав Вадимович, Филатов Анатолий Леонидович
Проектирование GaN HEMT для приемных устройств

DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.459.463

Наноиндустрия #9/2018
Солдатенков Федор Юрьевич, Козлов Владимир Алексеевич
Технология жидкофазной эпитаксии для выращивания многослойных гетероструктур силовой электроники на основе арсенида галлия

В работе рассмотрены особенности технологии изготовления методом жидкофазной эпитаксии высоковольтных гетероструктур на основе GaAs и его твердых растворов для приборов импульсной силовой и высокочастотной электроники с нано- и пикосекундными временами переключения и рабочими частотами коммутации до 10 МГц и выше. УДК 621.382 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.266.272

Электроника НТБ #2/2016
Б.Жалнин, М.Каган, А.Наумов
Отечественная космическая энергетика: вчера, сегодня и завтра

Прогресс в космонавтике неразрывно связан с состоянием бортовых систем электропитания. Показана эволюция элементной базы космической фотоэнергетики в 1950–2010 годы – от первых кремниевых солнечных батарей до каскадных батарей на основе арсенида галлия. Обсуждаются перспективы развития солнечных элементов до 2025 года.