Тег "электронная компонентная база"
Наноиндустрия #9/2018 Верник Петр Аркадьевич Комплекс мер по качественному сокращению сроков разработки и запуска в производство передовой ЭКБ
Анализируются ограничивающие этапы и факторы в существующих процессах разработки и производства ЭКБ, сдерживающие сокращение сроков от утверждения технического задания до запуска в серийное производство и применения новых типов компонентов в конечных изделиях, а также увеличение количества импортозамещающих разработок. Предлагается концепция построения данных процессов, основанная, в частности, на модульном принципе проектирования, широком применении САПР и библиотек стандартных блоков, разработке типовых техпроцессов с применением трехмерных структур микроблоков на основе технологии LTCC, направленная на качественное сокращение временных затрат при создании передовой отечественной ЭКБ как в целях импортозамещения, так и дальнейшего развития. УДК 621.3.049.76:658.5 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.554.557
Наноиндустрия #9/2018 Никифоров А. Ю., Телец В. А., Бойченко Д. В. Требование радиационной стойкости — экзотика для гурманов или гарантия наличия и технического уровня результата разработки для всех категорий потребителей ЭКБ?
Представлена классификация изделий ЭКБ по категории радиационной стойкости, обоснована технико-экономическая целесообразность задания требований по радиационной стойкости для всех изделий ЭКБ ОП. Установлено, что радиационный отклик информативно характеризует индивидуальную реакцию функциональных и паразитных структур в составе изделия и может быть использован для идентификации изделий, а корректно проведенные радиационные испытания доказывают «теорему существования» разработанного изделия и технический уровень результата разработки для всех категорий потребителей. УДК 621.382.002 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.39.41
Наноиндустрия #2/2018 В.Лучинин Национальные технологические приоритеты. Алмазная экстремальная электроника
В отличие от других технологических вызовов, российская материаловедческая база обеспечила в настоящее время возможность формирования полностью отечественного инновационного технологического маршрута производства алмазной электроники с ранее недостижимыми энерго-частотными характеристиками, температурными и радиационными условиями эксплуатации. Это стало возможным благодаря постановке в России технологии выращивания крупных синтетических монокристаллов алмаза и разработке процессов получения легированных эпитаксиальных алмазных слоев, в том числе нанослоевых композиций. УДК 621.382, ВАК 05.27.06; DOI: 10.22184/1993-8578.2018.81.2.156.169
Наноиндустрия #8/2017 А.Афанасьев, В.Вьюгинов, Н.Гладков, А.Зыбин, В.Ильин, В.Клевцов, В.Кутузов, В.Лучинин, В.Попов Импортозамещение карбидокремниевой ЭКБ. Стратегическое партнерство СПбГЭТУ "ЛЭТИ" и ПАО "Светлана"
В рамках решения задачи импортозамещения с целью обеспечения технологической независимости и безопасности государства реализовано стратегическое партнерство СПбГЭТУ "ЛЭТИ" и ПАО "Светлана" в области организации отечественного технологического маршрута изготовления ЭКБ на основе карбида кремния. УДК 621.382, ВАК 05.27.06, DOI: 10.22184/1993-8578.2017.79.8.50.59
Наноиндустрия #4/2016 В.Лучинин Отечественная экстремальная ЭКБ: карбидокремниевая индустрия СПбГЭТУ "ЛЭТИ"
Наиболее востребованной технологической возможностью при создании приборов на SiC по абсолютно доминирующей эпитаксиальной технологии является смена типа легирующей примеси в ростовом реакторе без его "разгерметизации" непосредственно в процессе эпитаксиального роста. Имеющийся у ЛЭТИ современный эпитаксиальный реактор позволяет реализовать данный процесс, включая автоматическую загрузку подложек. DOI:10.22184/1993-8578.2016.66.4.40.50
Наноиндустрия #3/2016 В.Лучинин Отечественная экстремальная ЭКБ: карбидокремниевая индустрия СПбГЭТУ "ЛЭТИ"
Разработка в Ленинградском электротехническом институте метода выращивания объемных монокристаллов карбида кремния (метод ЛЭТИ) является международно-признанным научно-технологическим прорывом, определившим переход к промышленной технологии изготовления ЭКБ на карбиде кремния (SiC) во всемирной практике. Применение карбида кремния в создании приборов оптоэлектроники, СВЧ-электроники и, безусловно, силовой электроники определяется экстремальными характеристиками данного широкозонного полупроводника по теплопроводности, критической напряженности электрического поля и дрейфовой скорости носителей заряда, устойчивости к воздействию высоких температур, химически агрессивных сред и радиации. DOI:10.22184/1993-8578.2016.65.3.78.89
eng
