Наноиндустрия - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1993-8578
ISSN 2687-0282 (online)

Книги по нанотехнологиям

Статьи

Наноиндустрия #7-8/2024

Новости // все новости

14.04.2025

События // все события

c 21.10.2025 до 23.10.2025

Тег "high-temperature microelectronics"

Наноиндустрия #9/2018
Волков Святослав Игоревич, Бобков Сергей Геннадьевич, Краснюк Андрей Анатольевич
Конструктивно-технологические особенности элементов тестовых структур для высокотемпературной микроэлектроники

КНИ КМОП технологии имеют безусловное преимущество перед перед объемными МДП и технологиями на основе широкозонных полупроводников, элементов памяти типа MRAM и FRAM прежде всего при разработке сверхбольших интегральных схем памяти, микропроцессоров и систем на кристалле и в корпусе для максимальных рабочих температур 250–300 °C. В работе были исследованы ВАХ транзисторов, переключательные и временные характеристики триггерных элементов памяти и кольцевых генераторов. Также проведена серия экспериментов по изучению влияния на температурные свойства МДП структур фактора конструкции транзисторов. Показано, что изменение температуры на 250 °C вызывает не только увеличение токов утечки на 3–4 порядка, но и формирование областей ударной ионизации, определяющих кинк-эффект на выходной ВАХ. Экспериментально определено уменьшение пороговых напряжений и крутизны для транзисторов а- и о-типа. Экспериментальные исследования кольцевых генераторов показали, что при изменении температуры от 25 °C до 200 °C частота генерации снижается в полтора раза, статический ток потребления возрастает на три порядка величины (до 0,5 мкА), а динамический ток потребления возрастает на 40 %. Исследование тестовых структур триггерных элементов памяти на примере в зависимости от температуры показало безусловное смещение влево с уменьшением критических точек для семейств переключательных характеристик при увеличении температуры. В целом помехоустойчивость ячеек памяти в исследуемом диапазоне температур меняется незначительно — до 10 %, что позволяет сделать вывод о возможности построения встроенных статических ЗУ в высокотемпературных микропроцессорах без принципиальных изменений в схемотехнике и конструкции функциональных элементов памяти. В целом, делается вывод о принципиальной возможности создания сложно-функциональных и микропроцессорных систем на основе разработанных элементов схем для рабочих температур вплоть до 300 °C. УДК 621.382+621.396.6 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.220.228

Наноиндустрия #6/2016
А.Бенедиктов, Е.Горнев, П.Игнатов
Конструктивно-технологические решения элементной базы кремниевой высокотемпературной микроэлектроники

Рассмотрены основные решения, используемые при разработке компонентов высокотемпературной микроэлектроники на основе кремниевых структур. Показана возможность и перспективность применения КМОП-технологии на базе структур "кремний на изоляторе" (КНИ). DOI:10.22184/1993-8578.2016.68.6.86.94