Наноиндустрия - научно-технический журнал - Материалы тега

главная

eng

Вход

Архив журнала

Журналы

Медиаданные

Редакционная политика

Авторам

Контакты

© 2001-2024
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

R&W

ISSN 1993-8578
ISSN 2687-0282 (online)

Книги по нанотехнологиям

Тег "soi"

Наноиндустрия #9/2018
Фатеев Иван Александрович, Шалашова Елена Сергеевна
Разработка набора триггеров в базисе КМОП КНИ с повышенной устойчивостью к воздействию ТЗЧ

Современные микросхемы, в силу масштабирования технологических размеров, уменьшения напряжения питания и внутренних емкостей, становятся все более чувствительными к воздействию ТЗЧ. Традиционные специализированные ячейки, устойчивые к воздействию ТЗЧ, теряют свое преимущество вследствие воздействия тяжелых частиц на несколько чувствительных областей. В данной работе представлен разработанный набор радиационно-стойких D триггеров с сигналами сброса, установки и без них на основе DICE элемента в технологическом базисе КНИ 200 нм. УДК 621.382+621.396.6 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.418.423

Наноиндустрия #9/2018
Ильин Сергей Алексеевич, Кочанов Сергей Константинович, Ласточкин Олег Викторович, Надин Алексей Семенович, Новиков Антон Алексеевич, Шипицин Дмитрий Святославович
Конструкторско-технологическая платформа проектирования СБИС на базе отечественной технологии КНИ 90 нм

В статье описывается конструкторско-технологическая платформа проектирования для технологии КНИ 90 нм, ее состав, включая комплект библиотек цифровых элементов и библиотеки интерфейсных элементов ввода-вывода; описан тестовый кристалл (ТК), изготовленный в рамках исследовательской работы; проанализированы результаты испытаний ТК и элементной базы. УДК 621.3.049.77 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.365.368

Наноиндустрия #9/2018
Чистяков Михаил Геннадьевич
Исследование и оптимизация по критерию сбоеустойчивости ячейки памяти для технологии КНИ КМОП 0,25 мкм при облучении быстрыми нейтронами

В статье исследована устойчивость к сбоям ячейки памяти, спроектированной по технологии КНИ 0,25 мкм. Рассмотрены возможные ситуации сбоев при попадании в ячейку памяти быстрых нейтронов. Также рассмотрены основные методы повышения сбоеустойчивости ячеек памяти. Приведены рекомендации по повышению устойчивости к сбоям ячеек памяти. УДК 621.382, ББК 32.85 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.351.358

Наноиндустрия #1/2017
Д.Копцев, О.Кузнецова, Н.Шелепин
Малошумящий усилитель по технологии кремний-на-изоляторе с топологическими нормами 0,18 мкм

Проведено экспериментальное исследование возможности реализации МШУ на основе КМОП КНИ-технологии с нормами 0,18 мкм. Рассматриваются преимущества КНИ-технологии для изготовления СВЧ ИС. Разработан и изготовлен МШУ с использованием КМОП КНИ-технологии, имеющей шесть уровней алюминиевой металлизации. DOI:10.22184/1993-8578.2017.71.1.88.94

Наноиндустрия #7/2016
А.Бенедиктов, П.Игнатов
Моделирование состояний полного и частичного обеднения высокотемпературных транзисторов на структурах кремний на изоляторе

Рассмотрены особенности движения основных носителей зарядов в пространстве между стоком и истоком КНИ МОП-транзисторов при различных температурах окружающей среды. Смоделированы состояния полного и частичного обеднения транзисторов. DOI:10.22184/1993-8578.2016.69.7.102.109

Наноиндустрия #7/2016
Д.Андреев, О.Ковалева, Д.Копцев
Сверхвысокочастотные характеристики транзисторов, изготовленных по технологии кремний на изоляторе с длиной канала 180 нм

Характеристики, полученные с помощью SPICE-модели BSIMSOI4, сравниваются с результатами экспериментальных измерений транзисторов, изготовленных в ПАО "Микрон" по технологии КМОП кремний на изоляторе (КНИ) 0,18 мкм. DOI:10.22184/1993-8578.2016.69.7.94.100

Наноиндустрия #6/2016
А.Бенедиктов, Е.Горнев, П.Игнатов
Конструктивно-технологические решения элементной базы кремниевой высокотемпературной микроэлектроники

Рассмотрены основные решения, используемые при разработке компонентов высокотемпературной микроэлектроники на основе кремниевых структур. Показана возможность и перспективность применения КМОП-технологии на базе структур "кремний на изоляторе" (КНИ). DOI:10.22184/1993-8578.2016.68.6.86.94