Тег "высокотемпературная электроника"
Наноиндустрия #9/2018 Волков Святослав Игоревич, Бобков Сергей Геннадьевич, Краснюк Андрей Анатольевич Конструктивно-технологические особенности элементов тестовых структур для высокотемпературной микроэлектроники
КНИ КМОП технологии имеют безусловное преимущество перед перед объемными МДП и технологиями на основе широкозонных полупроводников, элементов памяти типа MRAM и FRAM прежде всего при разработке сверхбольших интегральных схем памяти, микропроцессоров и систем на кристалле и в корпусе для максимальных рабочих температур 250–300 °C. В работе были исследованы ВАХ транзисторов, переключательные и временные характеристики триггерных элементов памяти и кольцевых генераторов. Также проведена серия экспериментов по изучению влияния на температурные свойства МДП структур фактора конструкции транзисторов. Показано, что изменение температуры на 250 °C вызывает не только увеличение токов утечки на 3–4 порядка, но и формирование областей ударной ионизации, определяющих кинк-эффект на выходной ВАХ. Экспериментально определено уменьшение пороговых напряжений и крутизны для транзисторов а- и о-типа. Экспериментальные исследования кольцевых генераторов показали, что при изменении температуры от 25 °C до 200 °C частота генерации снижается в полтора раза, статический ток потребления возрастает на три порядка величины (до 0,5 мкА), а динамический ток потребления возрастает на 40 %. Исследование тестовых структур триггерных элементов памяти на примере в зависимости от температуры показало безусловное смещение влево с уменьшением критических точек для семейств переключательных характеристик при увеличении температуры. В целом помехоустойчивость ячеек памяти в исследуемом диапазоне температур меняется незначительно — до 10 %, что позволяет сделать вывод о возможности построения встроенных статических ЗУ в высокотемпературных микропроцессорах без принципиальных изменений в схемотехнике и конструкции функциональных элементов памяти. В целом, делается вывод о принципиальной возможности создания сложно-функциональных и микропроцессорных систем на основе разработанных элементов схем для рабочих температур вплоть до 300 °C. УДК 621.382+621.396.6 DOI: 10.22184/1993-8578.2018.82.220.228
Наноиндустрия #8/2016 А.Бенедиктов, Е.Горнев, А.Потупчик, А.Михайлов, А.Смирнов Особенности работы МОП-транзисторов на основе кремниевых структур при высоких температурах
Исследована работа МОП-транзисторов, выполненных на структурах кремний на изоляторе (КНИ) и на объемном кремнии, в диапазоне температур от –60 до 250 °С. DOI:10.22184/1993-8578.2016.70.8.96.103
Наноиндустрия #6/2016 А.Бенедиктов, Е.Горнев, П.Игнатов Конструктивно-технологические решения элементной базы кремниевой высокотемпературной микроэлектроники
Рассмотрены основные решения, используемые при разработке компонентов высокотемпературной микроэлектроники на основе кремниевых структур. Показана возможность и перспективность применения КМОП-технологии на базе структур "кремний на изоляторе" (КНИ). DOI:10.22184/1993-8578.2016.68.6.86.94
eng
