sitemap
Наш сайт использует cookies. Продолжая просмотр, вы даёте согласие на обработку персональных данных и соглашаетесь с нашей Политикой Конфиденциальности
Согласен
Поиск:

Вход
Архив журнала
Журналы
Медиаданные
Редакционная политика
Реклама
Авторам
Контакты
TS_pub
technospheramag
technospheramag
ТЕХНОСФЕРА_РИЦ
© 2001-2025
РИЦ Техносфера
Все права защищены
Тел. +7 (495) 234-0110
Оферта

Яндекс.Метрика
R&W
 
 
Вход:

Ваш e-mail:
Пароль:
 
Регистрация
Забыли пароль?
Книги по нанотехнологиям
Под ред. М.Я. Мельникова, Л.И. Трахтенберга
Другие серии книг:
Мир материалов и технологий
Библиотека Института стратегий развития
Мир квантовых технологий
Мир математики
Мир физики и техники
Мир биологии и медицины
Мир химии
Мир наук о Земле
Мир электроники
Мир программирования
Мир связи
Мир строительства
Мир цифровой обработки
Мир экономики
Мир дизайна
Мир увлечений
Мир робототехники и мехатроники
Для кофейников
Мир радиоэлектроники
Библиотечка «КВАНТ»
Умный дом
Мировые бренды
Вне серий
Библиотека климатехника
Мир транспорта
Мир фотоники
Мир станкостроения
Мир метрологии
Мир энергетики
Книги, изданные при поддержке РФФИ
Тег "базовый кристалл"
Наноиндустрия #1/2017
Ю.Московская, Р.Федоров, А.Денисов, Д.Бобровский, А.Уланова, А.Никифоров
Состав и принцип формирования типовой оценочной схемы как имитатора БМК и полузаказных БИС на их основе для задач радиационных испытаний
Проанализированы основные особенности и недостатки существующей системы обеспечения требований радиационной стойкости для полузаказных БИС на основе БМК путем разработки и испытаний типовой оценочной схемы (ТОС). Предложено включать в состав ТОС все базовые библиотечные элементы. Предлагается максимально унифицировать ТОС для задач характеризации БМК и контроля партий пластин, анализа особенностей контроля стабильности техпроцесса и оценки радиационной стойкости рабочих зашивок по результатам испытаний ТОС. DOI:10.22184/1993-8578.2017.71.1.60.69
Наноиндустрия #1/2017
Ю.Московская
Общий методический подход к оценке радиационной стойкости БМК и полузаказных БИС на их основе
Разработан и обоснован общий методический подход к оценке радиационной стойкости БМК и полузаказных БИС на их основе. Проанализированы основные особенности БИС на БМК в части задач обеспечения и оценки их радиационной стойкости, обобщены доминирующие радиационные эффекты в БИС на БМК. DOI:10.22184/1993-8578.2017.71.1.50.59
Наноиндустрия #1/2017
П.Волобуев
Синтезатор частот для базового кристалла серии 5521
Рассмотрен сложно-функциональный блок синтезатора частот, который предназначен для применения в составе микросхем, разрабатываемых на основе базовых кристаллов серии 5521. Описана его структура, особенности отдельных функциональных блоков. DOI:10.22184/1993-8578.2017.71.1.42.49
Наноиндустрия #8/2016
А.Денисов, В.Коняхин
Перспективная элементная база для аппаратуры с жесткими условиями эксплуатации
Рассмотрены особенности базовых матричных и базовых кристаллов как основы для реализации специализированных микросхем. Представлены современные серии базовых кристаллов 5521 и 5529, а также БМК малой степени интеграции серий 5503 и 5507. DOI:10.22184/1993-8578.2016.70.8.22.31
Наноиндустрия #7/2016
Д.Мамонов
Микросхема управления матричными буквенно-цифровыми LED-дисплеями (7 × 5)
Рассматриваются особенности проектирования радиационно-стойкой микросхемы 5521ТР034-726 управления восемью матричными буквенно-цифровыми дисплеями (7 × 5) на основе БК серии 5521. DOI:10.22184/1993-8578.2016.69.7.52.58
Наноиндустрия #7/2016
А.Лукьянов, Р.Фёдоров
Микросхема цифровой гальванической развязки
На основе унифицированной библиотеки ячеек серии БК 5521 показана разработка микросхемы двухканальной трансформаторной гальванической развязки, приводится описание основных блоков и принципов работы. DOI:10.22184/1993-8578.2016.69.7.42.47
Наноиндустрия #7/2016
Н.Малашевич
Ячейка ОЗУ, устойчивая к воздействию внешних факторов
Показана возможность реализации блоков однопортовых и двухпортовых оперативных запоминающих устройств (ОЗУ) повышенной стойкости к внешним факторам для базовых кристаллов (БК) серий 5521 и 5529. Рассмотрена ячейка памяти ОЗУ. DOI:10.22184/1993-8578.2016.69.7.26.31
Разработка: студия Green Art