Наноиндустрия #7/2016
Д.Андреев, О.Ковалева, Д.Копцев
Сверхвысокочастотные характеристики транзисторов, изготовленных по технологии кремний на изоляторе с длиной канала 180 нм
Характеристики, полученные с помощью SPICE-модели BSIMSOI4, сравниваются с результатами экспериментальных измерений транзисторов, изготовленных в ПАО "Микрон" по технологии КМОП кремний на изоляторе (КНИ) 0,18 мкм. DOI:10.22184/1993-8578.2016.69.7.94.100